英飞凌IPD50N03S2-07: A Low-RDS(on) Automotive MOSFET with AECQ101 Q...

IPD50N03S2-07是英飞凌（Infineon）推出的一款OptiMOS系列功率晶体管，专为汽车应用设计，符合严苛的AECQ101标准，适用于高温环境，最高耐受峰值再流焊温度可达260°C，且在175°C的正常工作温度下表现出色。这款芯片采用绿色包装，体现了对环保的承诺，具有超低的开关损耗（Rds(on)）以及高达100%的雪崩测试认证。 该器件的主要特性包括： 1. **类型与封装**： - 结构：N沟道增强模式 - 封装：绿色包装，即无铅（Lead-free），使用的是PG-TO252-3-11型SMD封装，便于电路板上的小型化设计。 - 标记：PN0307 2. **电气参数**： - 持续漏电流（DC current）：在25°C时，VGS=10V下的最大值为50A；而在100°C时，该值下降但仍保持50A。 - 脉冲漏电流（Pulsed drain current）：在25°C条件下，允许短时间内达到200A。 - 雪崩能量（Avalanche energy）：单脉冲情况下，当ID=50A时，为250mJ。 - 阀值电压（Gate-source voltage）：允许的栅极到源极电压范围为±20V。 - 功率损耗（Power dissipation）：在25°C时，最大功率消耗为136W。 3. **热性能**： - 热阻：Junction-case thermal resistance（RthJC）未提供具体数值，但表示为1.1K/W，表明了结温到外壳的热传导性能。 - Junction-ambient thermal resistance（RthJA）在不同的条件下有所不同，对于SMD版本在PCB上的设备，有最小值可参考。 4. **操作和存储温度范围**： - 操作温度（Tj）为-55°C至175°C。 - 存储温度（Tstg）也符合宽温范围，从-55°C到175°C。 - IEC气候类别符合DIN IE68-1的55/175/56标准，这意味着它能在极端的温度变化下正常工作。 IPD50N03S2-07是一款适合汽车应用的高性能、低功耗、耐高温的N沟道功率晶体管，具有可靠的热管理和出色的抗过载能力，是现代电子系统中不可或缺的组件。在设计电路时，需要根据具体应用需求，考虑其电气特性和热性能限制，确保安全、高效地使用这款芯片。