基于ARM的嵌入式系统设计：探讨NAND/NOR闪存的可靠性和耐用性

本节内容主要围绕北航嵌入式系统课程的第5章，"基于ARM的硬件系统设计"展开，着重讨论了系统的可靠性与耐用性，以及针对不同类型的存储器——NAND和NOR——的性能特点和设计要点。 首先，章节讨论了NAND和NOR闪存的区别。NAND闪存因其较高的写入速度和更快的擦除速度，在现代嵌入式系统中更为常见，但每块NAND闪存的最大擦写次数仅为100万次，相比之下，NOR的擦写次数只有10万次，这意味着NAND在寿命管理上更具挑战性。此外，NAND中的位交换问题更为突出，需要使用ECC（错误纠正码）技术来提高数据的可靠性。 在存储器接口设计部分，S3C2410处理器提供了灵活的内存配置选项，包括8个可编程大小、总线宽度和存储周期的banks，其中大部分用于ROM、SRAM等，而Bank0支持16/32-bit宽，并且可以通过编程选择总线宽度。对于NAND和NOR的连接，课程详细介绍了如何将芯片与处理器正确地连接，如与8位和16位的ROM、Flash和SDRAM的连接方法。 在系统架构层面，讲解了ARM920T内核结构和S3C2410的具体内部组件，如网络接口、I/O接口（包括LCD驱动、音频电路、串口和USB设备）、PCMCIA插槽、IDE/CF卡和SD卡接口等，以及如何通过总线隔离驱动来管理和扩展这些接口。章节还涉及到了局部总线和扩展总线的设计，以及读写总线的时序图，这对于理解硬件系统的通信机制至关重要。 本节内容不仅涵盖了硬件设计的基础理论，还结合了实际应用中的关键点，如对NAND/NOR闪存性能的考量和存储器配置的策略，有助于深入理解嵌入式系统设计中的可靠性与耐用性要求，以及如何优化硬件资源以适应不同的应用场景。对于嵌入式系统开发人员来说，这是一份实用的参考资料，可以帮助他们在实践中提升系统设计的稳定性和效率。