英飞凌IPW80R360P7 800V超级结MOSFET技术规格手册

IPW80R360P7是一款由英飞凌(INFINEON)生产的高性能800V CoolMOS P7系列功率晶体管。该芯片的Rev. 2.1发布于2018年2月12日，属于Final Data Sheet，适用于PG-TO 247-3标准封装。这款MOSFET是英飞凌在超结技术领域多年创新的成果，旨在提供业界领先的性能和易用性。 主要特性包括： 1. **卓越的电导率（FOM RDS(on)）**：IPW80R360P7具有极低的栅极漏电流（Qg）、极小的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这显著提高了开关效率和整体性能。 2. **最佳DPAK RDS(on)**：与同类产品相比，其在DPAK封装下的RDS(on)表现更佳，有利于节省电路板空间并提升散热效率。 3. **极低的栅极电压阈值（V(GS)th）**：只有3V，且变化范围小于±0.5V，这意味着更低的驱动电压需求，有利于简化设计和提高系统稳定性。 4. **集成的齐纳二极管ESD保护**：内置的保护功能可降低静电放电造成的故障风险，增强器件的可靠性。 5. **工业应用的全面认证**：符合JEDEC标准，确保了在工业环境下可靠运行，适应各种严苛条件。 6. **优化的产品组合**：为设计师提供了丰富的选择，便于实现精细调整和优化设计。 使用IPW80R360P7的优势体现在： - **卓越性能**：通过上述特性，能支持更高功率密度的设计，降低物料清单(BOM)成本，并减少组装成本。 - **易于驱动和并联**：低栅极电压阈值和良好的特性参数使其在多通道应用中更加便捷。 - **提高生产效率**：减少由于ESD问题导致的生产线故障，进而提高生产良品率。 - **降低现场退货**：减少由于设计或制造问题引发的退货，保障产品质量和客户满意度。 - **简化选型**：易用的特性使得选择合适的器件变得更加直观，方便工程师进行电路优化。 IPW80R360P7是一款针对工业级应用设计的高性能800V MOSFET，其优异的电气性能、ESD保护和全面的工业认证使其成为高效、稳定和经济的解决方案，有助于推动电力电子设备向更高密度和更低成本的方向发展。