MDD1754RH-VB MOSFET技术规格与应用解析

"MDD1754RH-VB是一款N沟道的MOSFET，采用TO252封装，适用于40V工作电压，最大连续电流可达50A，具有低RDS(ON)特性，分别在10V和4.5V的栅极电压下，其RDS(ON)分别为12mΩ和14mΩ。这款MOSFET设计有TrenchFET技术，保证了高效能和低损耗。它还经过100%的Rg和UIS测试，符合RoHS指令2011/65/EU。常用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用。" MDD1754RH MOSFET是N沟道功率MOSFET，其主要特点是采用了TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高器件的开关性能和降低导通电阻，从而提升效率并减少发热。其工作电压(VDS)为40V，适合在高压电路中使用。在10V的栅极电压下，RDS(ON)仅为12毫欧，而在4.5V的栅极电压下，RDS(ON)略高，为14毫欧，这表明该MOSFET在低电压驱动下也能保持良好的导通状态。 此MOSFET的最大连续漏源电流（ID）在25°C时为50A，但在不同温度下会有所变化，如在70°C时，连续电流限制为45A。Qg（栅极电荷）的典型值为2nC，表明快速开关特性。对于瞬态电流，IDM最大可达到200A，而脉冲雪崩电流IAS为39A，单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ，这些参数确保了MOSFET在过载条件下的安全操作。 绝对最大额定值包括：源漏电压VDS为40V，栅源电压VGS为正负20V，25°C时的最大功耗PD为100W，但70°C时降为75W。源漏二极管的连续电流IS在25°C时为90A，同样随温度变化。此外，MOSFET的工作结温及存储温度范围是-55到175°C，确保了在宽温范围内稳定运行。 热特性方面，这款MOSFET的热阻RθJA表示了从芯片到环境的热阻，不同的安装条件会影响这个值。例如，当表面贴装在1"x1"的FR4板上时，根据不同的温度，热阻会有相应的数值，这影响了MOSFET在高功率应用中的散热能力。 MDD1754RH-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于需要高电流、低导通电阻以及快速开关特性的应用，如电源OR-ing、服务器电源管理以及DC/DC转换器等。其优秀的电气性能和严格的测试标准确保了在各种条件下可靠的工作。