MDD3754RH-VB-MOSFET: -40V耐压,-65A电流,低导通电阻的TrenchFET特性详解
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了MDD3754RH-VB-MOSFET这款高性能P沟道功率MOSFET器件。该产品以其独特的TrenchFET®技术,具有低热阻封装设计,确保了高效散热性能。在关键参数方面,它在10V时的RDS(ON)为10毫欧姆,而在4.5V下为13毫欧姆,栅极源电压(VGS)范围为±20V,阈值电压(-Vth)为-1.6V。
产品的主要特性包括:
1. **高性能**:MOSFET的开关速度较快,特别适合于对电流密度有高要求的应用,如电源管理、电机控制等。在-40V的Drain-Source Voltage (VDS)下,可以处理高达-50A的连续源电流(IS),在脉冲条件下,最大单脉冲avalanche电流可达-200A。
2. **封装优化**:TO252封装有助于降低热阻,使得热量能有效地从晶体管的热区转移到环境,对于在高温工作环境下保持稳定运行至关重要。其热阻值分别为RthJA = 50°C/W(junction-to-ambient)和RthJC = 1.1°C/W(junction-to-case),保证了良好的热管理。
3. **可靠性测试**:100%的Rg(寄生导纳)和UIS(最大集电极漏电流)测试确保了器件的长期稳定性。但需要注意的是,脉冲测试的限制条件,脉宽不超过300微秒,占空比不超过2%。
4. **应用注意事项**:
- 包装限制可能影响某些设计选择;
- 当安装在1平方英寸FR4材料的PCB上时,需遵循特定规格;
- 参数验证仍在进行中,可能意味着某些特性可能会在未来有所改进。
在安全操作范围内,MDD3754RH-VB-MOSFET的最大功率损耗为3W(在25°C下)和136W(在125°C下)。其工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,满足不同环境下的应用需求。
MDD3754RH-VB-MOSFET是一款针对特定应用场合设计的高性能、高可靠性的功率MOSFET,具有优秀的热管理能力和严格的测试标准,适用于对电流控制要求严格且需要高效散热的电子设备设计。在选择和使用时,务必注意其规格限制和适用条件。
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