HRT30P13J:30V P沟道MOSFET,低内阻10.5毫欧,DFN3*3封装
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更新于2024-08-09
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"HRT30P13J是一款由南京华瑞微集成电路有限公司设计的P沟道功率MOSFET,适用于AC/DC电源转换、照明及工业电源应用。其特性包括低FOM(RDS(on)×Qg),100%雪崩测试通过,易于驱动,并符合RoHS标准。该器件采用DFN3*3_8L封装,提供优秀的栅极电荷和低内阻,减少传导和开关损耗。主要应用于适配器和充电器的电源开关电路、电池保护充放电及笔记本电脑AC输入负载开关。关键性能参数包括最大漏源电压VDS@TA=25℃为-30V,最大RDS(on)在-10V和-4.5V时分别为10.5mΩ和14mΩ,典型栅极电荷Qg为61nC。"
详细解释:
MOSFET,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种重要的电子元件,广泛应用于电源管理、开关电路和信号放大等领域。HRT30P13J是一款P沟道MOSFET,这意味着它在栅极电压为正时导通,而在栅极电压为零或负时关闭。P沟道MOSFET在设计上通常用于高电压、大电流的应用,因为它们可以提供良好的隔离和控制特性。
该器件的关键特性之一是低FOM(Figure of Merit),即RDS(on)与Qg的乘积。RDS(on)代表在开启状态下MOSFET的漏源电阻,数值越小,意味着在导通时的电阻损失越小,从而提高效率。HRT30P13J的最大RDS(on)在-10V时为10.5mΩ,这表明它在工作时有非常低的导通电阻,适合在大电流应用中使用。Qg则是栅极电荷,表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量,Qg越小,开关速度越快,开关损耗也越低。
100%雪崩测试通过意味着HRT30P13J在设计时考虑了过电压条件下的安全性,确保在极端条件下仍能稳定工作。此外,器件符合RoHS标准,意味着它不含铅且满足环保要求。
HRT30P13J采用的是DFN3*3封装,这是一种小型化、表面贴装的封装形式,有利于减少PCB空间占用,同时提高散热性能。这种封装对于需要紧凑、高效解决方案的现代电子设计特别有用。
在应用方面,HRT30P13J适用于电源适配器和充电器的电源开关,可确保高效且可靠的电源转换。在电池保护和充放电系统中,它的低内阻特性有助于减少能量损失,延长电池寿命。此外,它也可以作为笔记本电脑AC输入负载开关,确保电源管理和设备安全。
HRT30P13J是一款高性能的P沟道MOSFET,设计精良,适用于多种电源和电池管理应用,其低内阻、快速开关和环保特性使其成为现代电子设计的理想选择。
2021-06-08 上传
2020-12-12 上传
2022-04-17 上传
2023-05-10 上传
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