AO6801A-VB:双P沟道20V SOT23-6 MOSFET
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更新于2024-08-03
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"AO6801A-VB是一款双P沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,适用于低电压、低电阻应用。该器件具有20V的耐压能力和低栅极电荷,适用于开关电源、逻辑控制和其他功率管理电路。其特性包括低RDS(on),快速开关性能,以及小型封装,适合表面贴装在1"x1"FR4板上。"
AO6801A-VB是一款高性能的双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),特别设计用于需要高效能和紧凑尺寸的应用。这款MOSFET以SOT23-6封装提供,占用空间小,适合在高密度PCB布局中使用。
技术规格方面,AO6801A-VB的最大漏源电压(VDS)为-20V,这意味着它可以承受高达20V的电压差。其典型栅极源电压(VGS)为-4.5V时的RDS(on)仅为0.100Ω,而当VGS降低至-2.5V时,RDS(on)也仅上升到0.27Ω,这表明其在低电压下仍能保持较低的导通电阻,从而在开关应用中提供低损耗。
该器件的连续漏极电流(ID)在不同温度条件下有所不同,例如在25°C时可达到-4.0A,而在70°C时则为-3.1A。此外,脉冲漏极电流(IDM)的最大值为-12A,确保了瞬态高电流需求下的稳定性。同时,它内置了源漏二极管,允许反向电流流动,最大连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为-1.17A。
在热性能方面,AO6801A-VB的最大结温(TJ)为150°C,最大结壳热阻(RthJF)在稳态下为90°C/W,而最大结温至环境的热阻(RthJA)在5秒内为93°C/W,这确保了器件在正常工作条件下的散热能力。
此外,这款MOSFET的Qg(栅极电荷)典型值为2.7nC,这意味着在开关过程中,它所需的驱动电流较小,有助于提高开关速度并减少能量损失。AO6801A-VB的“Halo”技术可能指的是优化的沟道设计,以进一步提升开关性能和效率。
AO6801A-VB双P沟道MOSFET适用于需要高效能、低功耗和小型化封装的电路设计,如电源管理、逻辑控制、负载开关以及其他对尺寸和效率有严格要求的电子设备。其出色的电气特性和紧凑的封装设计使其成为各种应用的理想选择。
2023-12-22 上传
2023-12-25 上传
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
2023-06-13 上传
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2023-07-28 上传
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