AO6801A-VB：双P沟道20V SOT23-6 MOSFET

"AO6801A-VB是一款双P沟道MOSFET，采用SOT23-6封装，适用于低电压、低电阻应用。该器件具有20V的耐压能力和低栅极电荷，适用于开关电源、逻辑控制和其他功率管理电路。其特性包括低RDS(on)，快速开关性能，以及小型封装，适合表面贴装在1"x1"FR4板上。" AO6801A-VB是一款高性能的双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），特别设计用于需要高效能和紧凑尺寸的应用。这款MOSFET以SOT23-6封装提供，占用空间小，适合在高密度PCB布局中使用。 技术规格方面，AO6801A-VB的最大漏源电压（VDS）为-20V，这意味着它可以承受高达20V的电压差。其典型栅极源电压（VGS）为-4.5V时的RDS(on)仅为0.100Ω，而当VGS降低至-2.5V时，RDS(on)也仅上升到0.27Ω，这表明其在低电压下仍能保持较低的导通电阻，从而在开关应用中提供低损耗。 该器件的连续漏极电流（ID）在不同温度条件下有所不同，例如在25°C时可达到-4.0A，而在70°C时则为-3.1A。此外，脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-12A，确保了瞬态高电流需求下的稳定性。同时，它内置了源漏二极管，允许反向电流流动，最大连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-1.17A。 在热性能方面，AO6801A-VB的最大结温（TJ）为150°C，最大结壳热阻（RthJF）在稳态下为90°C/W，而最大结温至环境的热阻（RthJA）在5秒内为93°C/W，这确保了器件在正常工作条件下的散热能力。 此外，这款MOSFET的Qg（栅极电荷）典型值为2.7nC，这意味着在开关过程中，它所需的驱动电流较小，有助于提高开关速度并减少能量损失。AO6801A-VB的“Halo”技术可能指的是优化的沟道设计，以进一步提升开关性能和效率。 AO6801A-VB双P沟道MOSFET适用于需要高效能、低功耗和小型化封装的电路设计，如电源管理、逻辑控制、负载开关以及其他对尺寸和效率有严格要求的电子设备。其出色的电气特性和紧凑的封装设计使其成为各种应用的理想选择。