AP2310CGN-VB:SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用
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更新于2024-08-03
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"AP2310CGN-VB是一款由VBSEMİ制造的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。该器件拥有低阻抗、高效能的特点,并通过了100%的Rg和UIS测试,确保其可靠性和安全性。"
AP2310CGN-VB MOSFET晶体管的主要特性包括:
1. **沟道类型**:N-Channel,意味着它在栅极和源极之间有正向电压时导通。
2. **封装形式**:SOT23,这是一种小型表面贴装封装,适合高密度电路设计。
3. **耐压能力**:最大 Drain-Source 电压 (VDS) 为60V,能够承受60伏的电压差。
4. **电流处理**:在25°C的结温下,连续 Drain 电流 (ID) 可达4A。随着温度升高,电流能力会有所降低。
5. **低导通电阻**:RDS(ON) 在 VGS=10V 时为85mΩ,这使得在开关应用中具有低损耗。
6. **阈值电压**:Vth 范围在1~3V,表示在该电压范围内,MOSFET将开始导通。
7. **环境友好**:符合IEC61249-2-21标准,为无卤素设计。
8. **测试保证**:100%的Rg和UIS测试,确保了器件的栅极电阻和雪崩耐受性。
应用领域:
1. **电池开关**:MOSFET的低导通电阻和小巧封装使其适用于电池管理系统,控制电池的接通和断开。
2. **DC/DC转换器**:在电源转换中,低RDS(ON)可提高转换效率,减少发热。
产品摘要中的参数详细说明:
- **Qg(栅极电荷)**:2.1nC,这是开启或关闭MOSFET所需的总电荷量,影响开关速度。
- **IDM(脉冲 Drain 电流)**:12A,是MOSFET在脉冲条件下的最大电流。
- **IS(连续源-漏极二极管电流)**:1.39A,在25°C时,MOSFET内部的体二极管可以承受的最大连续电流。
- **Avalanche电流(IAS)**:6A,允许的雪崩电流,表明器件在特定条件下能够承受的反向过电流。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**:1.8mJ,器件在雪崩模式下可承受的最大能量,确保在过载情况下不会损坏。
- **最大功率耗散(PD)**:随温度变化,最大值在25°C时为1.66W,70°C时为1.06W。
- **工作和储存温度范围**:-55至150°C,确保了器件在广泛的工作环境下都能稳定工作。
AP2310CGN-VB是一款适合于需要高效能、小体积和低功耗应用的MOSFET,尤其适用于电池管理和电源转换等场景。其出色的电气性能和可靠性测试确保了其在实际应用中的优秀表现。
2024-03-14 上传
2024-03-25 上传
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