APM3055LUC-TRL-VB:N沟道MOSFET在服务器及电源应用
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更新于2024-08-03
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"APM3055LUC-TRL-VB是一款由APM Semiconductor推出的N沟道MOSFET,采用TO252封装。这款器件具有低电阻、高电流能力,适用于OR-ing、服务器及DC/DC转换等应用。其主要特性包括TrenchFET技术、100%的Rg和UIST测试,以及符合RoHS指令2011/65/EU。在25°C时,其RDS(on)分别在10V和4.5V的门极电压下为7mΩ和9mΩ,最大连续漏源电流ID分别为70A和90A(考虑封装限制)。绝对最大额定值包括30V的漏源电压、±20V的门源电压、100W的最大功率耗散等。"
APM3055LUC-TRL-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),特别适合于电源管理领域,如并联开关、服务器电源和直流到直流转换器。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,这使得它能够在更小的封装内实现更低的导通电阻,从而提高效率并减少功耗。
其主要规格如下:
- **导通电阻(RDS(on))**:在门极电压VGS = 10V时,RDS(on)为7mΩ,而在VGS = 4.5V时为9mΩ。低的RDS(on)意味着在开关操作中较低的功率损失,这在高电流应用中非常重要。
- **额定电流(ID)**:这款MOSFET可以处理高达70A的连续漏源电流,在特定条件下(如封装限制)可达到90A。这使其适合处理大电流的电源路径。
- **栅极阈值电压(Vth)**:1.8Vth表示当门极电压超过这个值时,MOSFET开始导通。对于某些低电压系统,这个阈值电压是理想的。
- **热特性**:MOSFET的热性能也是一个关键参数。例如,它的最大结温(TJ)为175°C,表明了其良好的热稳定性。此外,它具有一定的热阻,例如在25°C时,每瓦特的热阻为3.25°C/W,这意味着在满载时能有效地散热。
此外,该器件还通过了100%的Rg和UIST测试,确保了其可靠性和安全性。同时,它符合RoHS指令,这意味着它不含铅并且满足环保要求。
在实际应用中,APM3055LUC-TRL-VB可以用于电源OR-ing,这是一种并联多个电源以提供冗余或增加总电流能力的技术。在服务器应用中,它可用于电源路径管理,确保稳定的电源供应。在DC/DC转换器中,其低RDS(on)有助于降低开关损耗,提高转换效率。
总结来说,APM3055LUC-TRL-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,因其低RDS(on)、高电流能力和优秀的热管理而适用于多种高功率应用。在设计过程中,考虑到其规格和特性,工程师可以利用这款器件来优化电源系统的效率和稳定性。
2022-02-19 上传
2022-01-07 上传
2021-09-29 上传
2023-05-24 上传
2023-05-24 上传
2023-05-24 上传
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2023-07-28 上传
2023-05-21 上传
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