IRFR3410TRPBF-VB MOSFET: 100V N沟道高功率器件性能解析
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更新于2024-08-03
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IRFR3410TRPBF是一款高性能的N沟道100V耐压MOSFET,它属于TrenchFET系列的Power MOSFET,专为高效率、高温环境下的应用设计。这款器件的特点包括:
1. **结构与特性**:
- N沟道设计:适用于负载电流从直流到脉冲应用。
- 高电压耐受:最大集电极-源极电压(VDS)可达100V,确保了在高电压电路中的稳定工作。
- **低导通电阻**:
- RDS(ON)在10V栅极电压下仅为30mΩ,提供极低的开关损耗。
- 在4.5V栅极电压下,RDS(ON)进一步下降至31mΩ,有利于节能。
- **高工作温度**:结温限制为175°C,适合长时间运行在高温环境下。
- **热阻低**:采用低热阻封装,如TO252,有助于快速散热。
2. **产品概述**:
- 最大集电极连续电流(ID)在标准条件下(TJ=25°C)为40A,随着温度升高,允许的最大电流会有所下降。
- Pulsed Drain Current (IDM) 达120A,适合于短时脉冲操作。
- 提供过载保护,如Avalanche Current (IAR)为35A,重复性 avalanche energy (EAR)为61mJ。
- 最大功率损耗(PD)在25°C时为107W,需注意在不同温度下的实际散热情况。
3. **电气参数**:
- 栅极-源极电压范围为±20V,确保了宽广的电压调节能力。
- 负载周期限制:当 Duty Cycle ≤1% 时,器件可以长期稳定工作。
4. **温度范围**:
- 操作和存储温度范围从-55°C到175°C,保证了器件在各种环境下的可靠性。
5. **合规性**:
- RoHS兼容,但含铅终端可能不满足RoHS规范,具体使用需查看豁免条款。
- TO-252封装,便于在不同的电路板布局上使用。
IRFR3410TRPBF是适合于需要高电压、大电流和良好散热性能的电子系统设计中,特别是在工业控制、电机驱动和电源转换等应用中的一款理想选择。在实际应用时,必须参考其安全工作区(SOA)曲线和热管理策略,确保在规定条件下操作以避免器件损坏。
2023-11-14 上传
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