IRFR4104TRPBF-VB-MOSFET:40V高功率N沟道MOSFET详解与应用
IRFR4104TRPBF-VB是一款专为工业级应用设计的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于TrenchFET系列。这款器件在设计上具有以下关键特性: 1. **结构与类型**: 它采用 trench FET 技术,这使得它在高电压和大电流条件下表现出优异的性能。它是一款40V耐压的MOSFET,适用于需要高可靠性和低导通电阻的应用。 2. **主要参数**: - **RDS(ON)**: 在10V栅源电压(VGS)下,其典型导通电阻为4毫欧姆(mΩ),而在4.5V VGS时,这个值提升到5mΩ。这表明该MOSFET在不同工作条件下提供了良好的开关效率。 - **电流能力**: - 持续工作电流(I_D): 在室温下(25°C),最大值可达85安培(A)。随着温度升高,例如在70°C时,电流降为70A。 - 脉冲电流能力:单脉冲最大允许电流IDM为250A,这适用于短时间、高功率的应用。 - **安全特性**: 能承受80A的雪崩电流,以及单脉冲能量EAS高达320毫焦耳(mJ)。 3. **其他重要参数**: - **阈值电压(V_Th)**: 1.85伏特(V),这是开启MOSFET通道所需的最小栅极电压。 - **封装**: TO252封装,适合表面安装在1英寸x1英寸FR4板上,方便散热和小型化设计。 - **热性能**: 允许的最大功率损耗在室温下为312瓦(W),当温度升至70°C时,降至200W。 4. **应用领域**: - **同步整流**:由于其低RDS(ON)和良好的开关速度,适用于需要高效同步整流的电源管理或转换电路中。 - **电源供应**:适用于需要高效率、紧凑设计的开关电源系统,如DC-DC转换器。 5. **温度限制**: - 操作和储存温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保在各种环境条件下都能稳定运行。 - 有明确的热阻等级,如从25°C下的热耗散到最高温度下的限制,保证了设备的长期可靠性能。 IRFR4104TRPBF-VB是一款适用于高电压、大电流和高效率应用的理想选择,特别适用于那些对元器件稳定性、可靠性和散热性能有严格要求的工业级电路设计。设计师在实际应用时应参考这些参数来确保设备的正确选型和操作。
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