TC58NVG2S0HBAI4 4GB NAND E2PROM Datasheet: High-Density Non-Vola...

TC58NVG2S0HBAI4是一款由东芝(TOSHIBA)生产的4GBit (512M x 8Bit) CMOS Nand型Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。该存储器的主要特性包括： 1. **规格概述**： - 数据容量：4GB（4,563,402,752 bits），组织形式为（4096 + 256）字节x64页x2048块。 - 内部结构：设备内含两个4352字节的静态寄存器，允许以4352字节为单位在寄存器与内存阵列之间进行数据传输。擦除操作是按单个块（256K字节 + 16K字节，即4352字节x64页）执行的。 2. **接口设计**： - 类型：串行型，利用I/O引脚同时作为地址和数据输入/输出，以及命令输入，提供了方便的数据传输和操作。 3. **功能特点**： - **灵活性与便利性**：自动执行擦除和编程操作，使得该器件特别适合于固态文件存储、语音记录、静止相机和其他需要高密度非易失性内存数据存储的应用。 - **存储单元**： - 存储单元组织：每个内存块包含128K字节，整体为4352个这样的块。 - 内部寄存器：提供4352个独立的8位寄存器，用于临时存储数据或辅助操作。 4. **应用适用性**： - 因其自动执行的操作和大容量特性，TC58NVG2S0HBAI4非常适合于需要高效且稳定数据存储的场景，如电子设备中的文件系统、音频处理设备等。 总结来说，TC58NVG2S0HBAI4是一款高度集成的NAND E2PROM，集成了大量存储空间和高级功能，能够适应各种需要大容量、低功耗和高速存取的现代电子产品应用。其串行接口设计和自动操作模式简化了系统集成，并提高了效率。对于开发人员而言，理解这款产品的特点和工作方式对于优化产品性能和设计选择至关重要。