TC58NVG1S3HTA00：2GB NAND 闪存芯片规格说明书

"TC58NVG1S3HTA00是一款由东芝存储公司生产的2GB（256M×8位）CMOS NAND型电子可擦除可编程只读存储器（NAND EEPROM）。该器件具有高速度、高密度和非易失性数据存储的特点，适用于固态文件存储、语音记录、静态相机图像文件存储等应用。" 这篇文档详细介绍了TC58NVG1S3HTA00的主要特性和功能。首先，它是一个3.3V供电的NAND闪存芯片，拥有2GB的存储容量，具体组织结构为(2048+128)字节×64页×2048块，总共有2,281,701,376个位。这意味着它可以存储大量的数据。 设备内包含了两个2176字节的静态寄存器，允许数据在寄存器和内存单元阵列之间以2176字节为增量进行传输。这样的设计提高了数据处理的效率。同时，该器件支持块擦除操作，每个块包含128K字节（2176字节×64页）加上额外的8K字节，总计2176×64+8×2176字节。 TC58NVG1S3HTA00是串行类型的存储设备，I/O引脚既用于地址和数据的输入/输出，也用于命令输入。它的擦除和编程操作是自动执行的，简化了操作流程，使得该器件非常适合那些需要高效能非易失性存储的应用。 其主要特点包括： 1. **x8组织结构**：数据线宽度为8位，提供了并行数据传输的能力。 2. **内存单元阵列**：2176×128K×8的组织方式，提供大容量存储。 3. **寄存器**：内置2176×8字节的寄存器，方便数据快速移动。 4. **页面大小**：每页2176字节，适合块操作。 5. **自动执行的擦除和编程操作**：简化了编程逻辑，提高了系统的响应速度。 总结来说，TC58NVG1S3HTA00是一款高效能的NAND闪存芯片，设计精巧，适合各种需要大量非易失性存储的系统，如嵌入式设备、移动设备等。其自动执行的擦除和编程操作，以及独特的数据传输机制，使其在数据密集型应用中表现出色。