TI SN65LVDT41-EP：LVDS接口扩展器芯片
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更新于2024-06-27
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“TI-SN65LVDT41-EP.pdf”是一款由德州仪器（TI）推出的集成电路，主要用于LVDS（低压差分信号）传输技术，适用于MemoryStick™接口扩展和长距离数据传输应用。
LVDS技术详解
LVDS（Low Voltage Differential Signaling）是一种高速、低功耗、低噪声的数字信号传输技术。它通过在一对差分线对上发送互补信号来实现数据传输，具有较高的抗干扰能力。LVDS的电压摆幅较低，通常在±350mV左右，这使得它能够在保持高速数据传输的同时，降低了电源的消耗和电磁辐射。
SN65LVDT14-EP与SN65LVDT41-EP特性
1. MemoryStick™接口扩展器：这两款芯片设计用于延长MemoryStick™接口的连接距离，支持主机和存储设备之间的长距离通信。
2. 控制基线：确保产品的一致性和可靠性，适用于单一装配/测试站点和单一制造站点。
3. SPI（串行外围接口）兼容：可以作为SPI接口的扩展，允许在主设备和从设备之间建立长距离连接。
4. DMS（减小制造源）支持：增强的产品变更通知功能，方便供应链管理。
5. MMC（MultiMediaCard）接口：在SPI模式下支持MMC接口，扩展了设备的兼容性。
6. 集成110-Ω接收端终止电阻：内置的终止电阻有助于优化信号完整性，减少反射和信号损失。
7. 单3.3V电源操作：芯片可由单一3.3V电源供电，简化系统电源管理。
8. 超过125Mbps的数据速率：提供高速数据传输能力，满足高速数据传输需求。
9. 流过式引脚布局：便于PCB布局和设计。
10. LVTTL兼容逻辑输入/输出：能够与标准LVTTL逻辑电平的系统无缝配合。
应用领域
这些器件主要应用于：
1. 长距离数据传输的系统，如MemoryStick™扩展接口。
2. 需要高速数据传输的SPI和MMC接口应用。
3. 电子设备之间的低噪声、低功耗通信。
4. 任何需要长距离、高数据率、低电磁干扰的通用异步双向通信场景。
SN65LVDT14-EP和SN65LVDT41-EP是针对LVDS应用的高效解决方案，特别适合于需要扩展接口和高速数据传输的系统设计，同时提供了良好的兼容性和可靠性。
www.ti.com
Receiver Electrical Characteristics
Driver Electrical Characteristics
Device Electrical Characteristics
SN65LVDT14-EP, SN65LVDT41-EP
SCES633 – JUNE 2005
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP
(1)
MAX UNIT
V
ITH+
Positive-going differential input voltage threshold See Figure 2 and Table 1 100 mV
V
ITH–
Negative-going differential input voltage threshold See Figure 2 and Table 1 –100 mV
V
OH
High-level output voltage I
OH
= –8 mA 2.4 V
V
OL
Low-level output voltage I
OL
= 8 mA 0.4 V
V
I
= 0 V and V
I
= 2.4 V,
I
I
Input current (A or B inputs) ± 40 µ A
Other input open
I
I(OFF)
Power-off input current (A or B inputs) V
CC
= 0 V, V
I
= 2.4 V ± 40 µ A
C
i
Input capacitance, A or B input to GND V
I
= A sin 2 π ft + CV 5 pF
Z
t
Termination impedance V
ID
= 0.4 sin2.5E09 t V 88 132 Ω
(1) All typical values are at 25 ° C and with a 3.3-V supply.
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP
(1)
MAX UNIT
R
L
= 100 Ω ,
|V
OD
| Differential output voltage magnitude 247 340 454 mV
See Figure 3 and Figure 5
Change in differential output voltage magnitude R
L
= 100 Ω ,
∆ |V
OD
| –50 50 mV
between logic states See Figure 3 and Figure 5
V
OC(SS)
Steady-state common-mode output voltage See Figure 6 1.125 1.375 V
Change in steady-state common-mode output voltage
∆ V
OC(SS)
See Figure 6 –50 50 mV
between logic states
V
OC(PP)
Peak-to-peak common-mode output voltage See Figure 6 50 mV
I
IH
High-level input current V
IH
= 2 V 20 µ A
I
IL
Low-level input current V
IL
= 0.8 V 10 µ A
V
OY
or V
OZ
= 0 V ± 24
I
OS
Short-circuit output current mA
V
OD
= 0 V
(2)
± 12
I
O(OFF)
Power-off output current V
CC
= 1.5 V, V
O
= 2.4 V ± 1 µ A
(1) All typical values are at 25 ° C and with a 3.3-V supply.
(2) This parameter is GBD over industrial temperature range.
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN MAX UNIT
SN65LVDT14 25
Driver R
L
= 100 Ω , Driver V
I
= 0.8 V or 2 V,
I
CC
Supply current mA
Receiver V
I
= ± 0.4 V
SN65LVDT41 35
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