"AP9938GEM-HF-VB是一种采用SOP8封装的双N沟道MOSFET,适用于电源管理和其他需要高效能开关元件的应用。该器件符合卤素免费(Halogen-free)标准,满足IEC61249-2-21定义,并且符合RoHS指令2002/95/EC的要求。其核心技术是TrenchFET®功率MOSFET技术,提供低电阻和高效率。"
在这款AP9938GEM-HF-VB MOSFET中,有两个独立的N沟道MOSFET单元,每个单元都具备G1、D1和S1或G2、D2和S2引脚,用于独立控制。这种双通道设计使得该器件能够处理更高的电流,并支持并行操作,增强了系统的灵活性。
关键性能参数包括:
- **阈值电压** (VGS): 在VGS = 4.5V时,RDS(on) 为0.019Ω,而在VGS = 2.5V时,RDS(on) 为0.026Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件的电阻较小,因此功耗更低。
- **持续漏源电压** (VDS): 最大值为20V,确保了MOSFET在额定电压下工作的安全性。
- **连续漏极电流** (ID): 在TJ = 150°C时,最大ID为7.1A,而在TJ = 70°C时,最大ID为5.7A,这表明随着温度升高,器件的电流承载能力会有所下降。
- **脉冲漏极电流** (IDM): 可达40A,适用于短时间高电流脉冲应用。
- **连续源电流** (IS): 最大值为1.7A,表明MOSFET的二极管传导能力。
- **最大功率耗散** (PD): 在TA = 25°C时,PD为2W,而TA = 70°C时,PD为1.3W,这限制了器件工作时的最大发热。
- **结温范围** (TJ, Tstg): 从-55°C到150°C,允许该器件在宽温度范围内稳定工作。
此外,AP9938GEM-HF-VB的热特性也很重要,其**最大结壳热阻抗** (RthJA) 为62.5°C/W,这表示每增加1W的功率,器件的温度将上升62.5°C。低的RthJA有利于散热,保证了器件在高功率应用中的可靠性。
总体来说,AP9938GEM-HF-VB是一种高性能、环保且适用于各种电源管理和开关应用的MOSFET,尤其适合需要高效率、低损耗和可靠性的电路设计。对于工程师而言,理解这些参数以及它们如何影响MOSFET的实际性能至关重要。在实际应用中,还需要考虑系统级的散热设计,以确保MOSFET在长时间工作下保持稳定。