6. 某机字长为 32 位,其存储容量是 64KB,按字编址它的寻址围是多少?若主存以字节编址,
试画出主存字地址和字节地址的分配情况。
解:存储容量是 64KB 时,按字节编址的寻址围就是 64K,如按字编址,其寻址围为:
64K/ (32/8)=16K
主存字地址和字节地址的分配情况:(略)。
7. 一个容量为 16K×32 位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用下列不同规
格的存储芯片时,各需要多少片?
1K×4 位,2K×8 位,4K×4 位,16K×1 位,4K×8 位,8K×8 位
解:地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46 根;
选择不同的芯片时,各需要的片数为:
1K×4:(16K×32) / (1K×4) = 16×8 = 128 片
2K×8:(16K×32) / (2K×8) = 8×4 = 32 片
4K×4:(16K×32) / (4K×4) = 4×8 = 32 片
16K×1:(16K×32)/ (16K×1) = 1×32 = 32 片
4K×8:(16K×32)/ (4K×8) = 4×4 = 16 片
8K×8:(16K×32) / (8K×8) = 2×4 = 8 片
8. 试比较静态 RAM 和动态 RAM。
答:略。(参看课件)
9. 什么叫刷新?为什么要刷新?说明刷新有几种方法。
解:刷新:对 DRAM 定期进行的全部重写过程;
刷新原因:因电容泄漏而引起的 DRAM 所存信息的衰减需要与时补充,因此安排了定期
刷新操作;
常用的刷新方法有三种:集中式、分散式、异步式。
集中式:在最大刷新间隔时间,集中安排一段时间进行刷新,存在 CPU 访存死时间。
分散式:在每个读/写周期之后插入一个刷新周期,无 CPU 访存死时间。
异步式:是集中式和分散式的折衷。
10. 半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种?
解:半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种:线选法和重合法。
线选法:地址译码信号只选中同一个字的所有位,结构简单,费器材;
重合法:地址分行、列两部分译码,行、列译码线的交叉点即为所选单元。这种方法通
过行、列译码信号的重合来选址,也称矩阵译码。可大大节省器材用量,是最常用的译码驱
动方式。
11. 一个 8K×8 位的动态 RAM 芯片,其部结构排列成 256×256 形式,存取周期为 0.1μs。
试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?
解:采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs
采用分散刷新方式刷新间隔为:256×(0.1μs+×0.1μs)=51.2μs
采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms
12. 画出用 1024×4 位的存储芯片组成一个容量为 64K×8 位的存储器逻辑框图。要求将 64K
分成 4 个页面,每个页面分 16 组,指出共需多少片存储芯片。
解:设采用 SRAM 芯片,则:
总片数 = (64K×8 位) / (1024×4 位)= 64×2 = 128 片
题意分析:本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级,因此画图时也应分三级
画。首先应确定各级的容量:
页面容量 = 总容量 / 页面数 = 64K×8 / 4 = 16K×8 位,4 片 16K×8 字串联成 64K×8