IRFM120ATF-VB: 高性能N沟道SOT223封装场效应晶体管

IRFM120ATF-VB是一款由IR公司生产的N沟道场效应晶体管，它采用先进的Trench FET®技术，这种设计旨在提供高效能、低损耗和高可靠性的开关解决方案。该晶体管的封装形式为紧凑的SOT223，这是一种小型化封装，适合于对空间敏感的应用。 这款场效应管的主要特性包括： 1. **环保合规**：根据IEC 61249-2-21标准，该产品是无卤素的，符合RoHS指令2002/95/EC，确保了在生产过程中对环境的影响最小。 2. **高温耐受性**：IRFM120ATF-VB的最大结温可达175°C，这使得它能够在高温环境中稳定运行。 3. **电流规格**：对于连续工作条件，当VGS为10V时，其RDS(on)为0.100Ω，最大集电极电流ID在室温下可达到5.0A。当VGS降为4.5V时，ID降至0.120A。脉冲工作条件下，允许的短时最大集电极电流IDM为25A，同时提供单脉冲雪崩电流IAS和单脉冲雪崩能量EAS。 4. **功率处理能力**：在25°C下，最大功耗PD为3.3W，而在70°C时为2.3W。这些数据对于热管理设计至关重要。 5. **温度范围**：该晶体管的操作结温范围为-55°C至175°C，存储温度范围同样宽广，适应各种应用环境。 6. **热阻特性**：IRFM120ATF-VB具有良好的热阻，如Junction-to-Ambient热阻RthJA典型值为36°C/W，而Junction-to-Foot热阻RthJF（针对Drain）则为17N。 7. **封装细节**：这款N沟道MOSFET采用SOT-223封装，结构清晰，包括G（栅极）、D（漏极）和S（源极）引脚。 最后，IRFM120ATF-VB还提供了客户服务热线，便于用户获取技术支持和相关服务，400-655-87是一个方便联系的电话号码。 总结来说，IRFM120ATF-VB场效应管是一款性能强大、可靠性高的开关元件，适用于对小型化、高效率和温度适应性强的电子设备设计，特别适合工业自动化、电源管理、电机控制等应用领域。