红外光干涉技术在微纳结构三维形貌测量中的应用

"基于红外光干涉技术的微纳结构内部三维形貌测量* (2011年)" 这篇2011年的论文详细介绍了利用红外光干涉技术进行微纳结构内部三维形貌测量的方法。传统的白光扫描干涉法主要应用于可见光波段，但通过研究红外光在半导体材料中的透射特性，研究人员成功地将其拓展到了红外光波段。这种创新的测量技术对半导体微纳器件的无损检测具有重要意义。 红外光干涉系统采用了Linnik型干涉显微镜的设计，这是一种双束干涉仪，能够提供高分辨率的表面形貌信息。在实验中，他们选取了一个具有三层台阶结构的微器件作为样本，展示了该技术在实际应用中的可行性。通过红外光对半导体材料的透射，然后反射并形成干涉，可以精确获取微纳结构的内部三维形状信息。 实验结果显示，对于百纳米级别的台阶高度，该方法能够实现准确的透射测试，垂直测量误差控制在5%以内。这表明其精度极高，对于微纳器件的精密测量具有很高的价值。此外，由于是无损测量，因此它适合于半导体器件封装后的内部形貌测试，可以用于评估键合界面的质量，以及在线工艺检测等环节，确保半导体器件的制造质量。 红外光干涉技术的这一进展对于微电子、微机械和纳米技术等领域具有深远影响。它不仅提高了形貌测量的精度，还扩大了测量范围，尤其是在那些无法通过传统光学手段进行检测的深孔或精细结构中。这种技术的应用有助于推动半导体行业的技术创新，提升产品质量，并促进相关制造工艺的优化。 这项工作是红外光干涉技术在微纳结构测量领域的重大突破，为半导体工业提供了一种新的、高效的检测工具，对于提高半导体器件的性能和可靠性有着不可忽视的作用。在未来，随着技术的进一步发展，这种测量方法有望在更多领域得到广泛应用。