CPH3360-VB SOT23 封装 P-Channel 场效应 MOS 管技术参数

"CPH3360-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管" CPH3360-VB是一款SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，具有-30V的漏源电压、-5.6A的连续漏电流和47mΩ的典型导通电阻。该MOS管适用于移动计算应用、负载切换、笔记本电脑适配器切换和DC/DC转换器等领域。 该MOS管具有TrenchFET®PowerMOSFET结构，100%通过Rg测试，确保了其可靠性和稳定性。在应用中，该MOS管可以在-30V的电压下工作，具有低的导通电阻和快速的开关速度，使其非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。 在移动计算应用中，该MOS管可以作为负载切换、笔记本电脑适配器切换和DC/DC转换器等组件，提供高效率和高可靠性的电源管理解决方案。同时，该MOS管也可以应用于其他需要高速开关和高效率的场景，例如服务器、数据中心、电信设备等。 该MOS管的主要特性包括： * 漏源电压：-30V * 连续漏电流：-5.6A * 典型导通电阻：47mΩ@VGS=10V * 门源电压：±20V * 工作温度范围：-55°C to 150°C * 存储温度范围：-55°C to 150°C CPH3360-VB是一款高性能的P-Channel场效应MOS管，适用于需要高速开关和高效率的应用场景，具有广泛的应用前景。 知识点： 1. MOS管的基本结构和工作原理 2. P-Channel场效应MOS管的特点和应用 3. SOT23封装的特点和优势 4. TrenchFET®PowerMOSFET结构的优点和应用 5. 高效率电源管理的重要性和实现方法 6. 移动计算应用中的电源管理解决方案 7. DC/DC转换器的基本原理和应用 8. MOS管在服务器、数据中心、电信设备等领域的应用 9. 高速开关和高效率电源管理的重要性和实现方法 10. 电源管理解决方案的设计和实现方法