一种新型非易失性存储器的高压选择电路设计

"适用于非易失性存储器的电压选择电路的制作方法" 本文介绍了一种适用于非易失性存储器（如EEPROM、Flash、MTP）的电压选择电路的创新设计，旨在解决传统电路在高压操作状态下的局限性。在非易失性存储器的擦写编程过程中，需要应用高电压，这些电压可能需要在不同状态间切换，对电路的性能和精度提出了挑战。传统的二选一电路，如反相器或传输门，当输入电压远超电源电压时，可能无法有效隔离和切换电压。 为了解决这个问题，本发明提出了一种包含高压比较电路和电压选择电路的结构。高压比较电路由第一支路和第二支路构成，每条支路都包括一个电阻分压模块、一个比较器和一个电平转换模块。这两个支路分别接收第一输入电压和第二输入电压，通过比较器判断哪个电压更高。然后，电平转换模块将比较结果传递给电压选择电路。 电压选择电路由第三电平转换模块和一个传输门组成。第三电平转换模块接收来自高压比较电路的最高电压信号，并结合挑选控制信号，通过传输门输出选择后的电压。这种设计允许电路在输入电压差值小的情况下也能准确地选出较高电压，提高了电路的响应速度和输出精度。 该发明的独特之处在于，它能够在无需额外高压输入的情况下，利用两个输入电压中的较大电压来控制传输门，从而有效地解决了传统电路在高压环境下可能出现的故障或不准确问题。这种改进对于优化非易失性存储器的操作效率和可靠性具有重要意义，尤其适用于需要高电压操作的场合。 这个适用于非易失性存储器的电压选择电路是一种创新的集成电路解决方案，它通过精心设计的比较和选择机制，确保了在各种电压条件下都能正确、快速、精确地输出所需电压，进一步提升了存储器的性能。