NTP6413ANG-VB MOSFET技术解析:低电阻,高结温TrenchFET
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更新于2024-08-03
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"NTP6413ANG-VB是一款由VBsemi生产的N沟道TO220封装MOSFET,适用于电源管理、开关应用等领域。该器件具有100V的额定漏源电压(VDS)、55A的连续漏极电流(ID)以及低阻抗特性,其在10V栅极电压下RDS(ON)为36mΩ,在4.5V栅极电压下为38mΩ。此外,它还具备TrenchFET技术,提供175°C的结温耐受能力,并采用TO220封装,具有低热阻特性。"
NTP6413ANG-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其工作原理是通过控制栅极与源极之间的电压(VGS)来改变漏极与源极之间的导通电阻(RDS(ON)),从而控制电流的流动。这款MOSFET的TrenchFET技术意味着它采用了沟槽结构,这种结构可以减小芯片面积并降低导通电阻,提高工作效率。
该器件的最大漏源电压VDS为100V,这意味着在正常工作条件下,漏极与源极之间的电压不应超过这个值。同时,它能够承载连续的55A漏极电流(ID)和脉冲电流IDM,但实际应用时需注意,当温度升高到125°C时,ID将限制在40A。此外,NTP6413ANG-VB还能承受短暂的雪崩电流IAR,重复雪崩能量为61mJ,这表明它具有一定的过载保护能力。
在散热方面,这款MOSFET的结壳热阻RthJC为1.4°C/W,而结温至环境的热阻RthJA为40°C/W,这意味着在1"平方的FR-4材质PCB上安装时,每增加1W的功率损耗,器件结温将上升40°C。因此,为了确保器件的稳定运行,必须考虑适当的散热设计。
NTP6413ANG-VB符合RoHS标准,适用于各种需要高效能、低损耗电源转换和开关控制的应用,例如电源供应器、电机驱动、电池管理系统和DC-DC转换器等。用户在设计时应参照制造商提供的安全操作区(SOA)曲线,确保在不超出器件的额定参数范围内工作,以保证设备的可靠性和寿命。
2024-01-08 上传
2024-01-10 上传
2024-01-09 上传
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2024-05-27 上传
2023-09-21 上传
2023-07-08 上传
2023-07-27 上传
2023-07-08 上传
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