"IRF7421QTRPBF-VB是一款由VB Semiconductor推出的双P-Channel沟道、30V额定电压的SOP8封装MOSFET。这款MOSFET采用TrenchFET技术,具有低电阻、低栅极电荷和无卤素的特点,并且通过了100%的UIS测试,适用于负载开关等应用。"
IRF7421QTRPBF-VB的主要特点和规格如下:
1. **TrenchFET技术**:采用TrenchFET结构,这种技术使得MOSFET具有更小的尺寸和更低的导通电阻,从而提高效率和功率密度。
2. **双P-Channel沟道**:该器件包含两个P-Channel沟道,这意味着它们在正向电压下关闭,在负向电压下打开,适用于驱动高侧负载或作为逻辑电路的一部分。
3. **额定电压**: Drain-Source电压(VDS)的最大值为-30V,这意味着它可以承受高达30伏的反向电压。
4. **导通电阻**:RDS(on)在VGS = -10V时典型值为35mΩ,而在VGS = -20V时为45mΩ,这表示当栅极电压达到指定值时,源极到漏极之间的电阻非常低,有利于低损耗切换。
5. **电流能力**:连续 Drain电流(ID)在25°C时为-7.3A,但随着温度升高,电流能力会下降。在70°C时,ID的最大值为-3.2A。
6. **栅极阈值电压**:Vth为-1.5V,这意味着当栅极电压超过这个值时,MOSFET开始导通。
7. **栅极电荷**:Qg(栅极电荷)在典型条件下为17nC,这是一个衡量开关速度的重要参数,低电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损失。
8. **热特性**:最大结温(TJ)为150°C,而结到外壳的热阻(θJA)在不同条件下的数值不同,影响了器件的散热能力。
9. **应用领域**:IRF7421QTRPBF-VB适合用于负载开关应用,其低RDS(on)和高电流能力使其在电源管理、电池保护和其他需要高效切换的应用中表现优秀。
10. **安全工作区**:器件通过了UIS测试,保证了在特定条件下不会发生雪崩击穿,增强了其可靠性。
IRF7421QTRPBF-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,适用于需要高效、可靠切换和控制电源流的电路设计。其低导通电阻和优化的热性能使其在各种电子设备和系统中都能发挥出色的表现。