英飞凌IPTG018N10NM5 MOSFET芯片中文规格书

"IPTG018N10NM5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档是关于INFINEON英飞凌公司生产的IPTG018N10NM5 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文版规格书。IPTG018N10NM5是一款N沟道、正常电平的MOSFET，适用于高频率开关和同步整流应用。该芯片以其极低的导通电阻RDS(on)、优秀的门电荷乘以RDS(on)的产品性能（FOM）以及通过100%雪崩测试等特性而脱颖而出。 该器件的主要特点包括： 1. N通道设计，适用于一般水平的电压控制。 2. 极低的导通电阻RDS(on)，最大值仅为1.8毫欧，这有助于在工作时降低功耗和提高效率。 3. 出色的门电荷与RDS(on)乘积（FOM），表示其开关性能优异。 4. 经过100%的雪崩测试，确保了其在高电压条件下的安全性。 5. 符合无铅（Pb-free）和RoHS标准，采用无卤素材料制造，符合环保要求。 6. 根据JEDEC标准，已针对工业应用进行全面验证。 关键性能参数如下： - 最大漏源电压（VDS）：100V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：1.8 mΩ - 连续漏电流（ID）：273A - 总栅极电荷（Qoss）：155 nC - 总栅极电荷（QG）：122 nC 封装信息： - 器件型号：IPTG018N10NM5 - 封装类型：PG-HSOG-8-1 - 标签代码：018N10N5 文档还包括表格目录，详细列出了描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等内容。此外，还提到了INFINEON的OptiMOSTM 5功率晶体管系列，该系列是100V的MOSFET产品。 IPTG018N10NM5是一款高性能的MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电源转换系统，如开关电源、电机驱动和其他工业电子设备。其详细的规格书提供了所有必要的设计和应用信息，以确保正确和安全地使用这款器件。