英飞凌IPTG025N10NM5 MOSFET芯片中文规格书

"IPTG025N10NM5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 该资源是英飞凌公司（INFINEON）的IPTG025N10NM5芯片的中文规格书手册，主要介绍了这款OptiMOSTM 5系列的N沟道功率MOSFET。OptiMOSTM 5是一款高性能的功率晶体管，适用于高频率切换和同步整流应用。 IPTG025N10NM5芯片的主要特性包括： 1. N通道、正常电平：这是一种N沟道MOSFET，适合在正向电压下工作。 2. 极低的导通电阻RDS(on)：最大值为2.5毫欧，这意味着在开关操作时，芯片在导通状态下的电压降非常小，能有效降低功耗。 3. 出色的门极电荷乘以RDS(on)产品（FOM）：这是衡量MOSFET开关性能的关键指标，数值越小表示开关速度更快，效率更高。 4. 100%雪崩测试：确保芯片在过载条件下具有良好的稳定性。 5. 符合RoHS标准的无铅引脚电镀：符合环保要求。 6. 按照IEC61249-2-21标准，不含卤素：符合电子设备的环保标准。 7. 已根据JEDEC标准对工业应用进行了全面验证：确保了在各种环境条件下的可靠性和稳定性。 关键性能参数如下： - VDS（最大漏源电压）：100V，表明芯片可承受的最大电压。 - RDS(on)，max（最大导通电阻）：2.5mΩ。 - ID（连续漏电流）：206A，表示芯片能持续通过的最大电流。 - Qoss（总栅极电荷）：123nC，影响开关速度和转换能量。 - QG（栅极电荷）：96nC，也与开关速度有关。 - 型号/订购代码：IPTG025N10NM5，封装类型为PG-HSOG-8-1，标记代码为025N10N5。 手册内容涵盖了描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等，为设计工程师提供了详细的技术参数和使用指南。这些信息对于评估和选择该芯片在电路设计中的适用性至关重要。