英飞凌IPTG018N08NM5 MOSFET芯片中文规格详细解读

"IPTG018N08NM5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书" 这份文档详细介绍了英飞凌科技公司生产的IPTG018N08NM5 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的规格和特性。该芯片是一款N沟道、正常电平的MOSFET，适用于高频率开关和同步整流应用。以下是其主要特点和关键性能参数： 特点： 1. 非常低的导通电阻RDS(on)，这使得在导通状态下，芯片的电压损失极小，提高了效率。 2. 出色的门极电荷与RDS(on)乘积（FOM），反映了开关速度和效率的平衡。 3. 通过100%雪崩测试，确保了在大电流下的稳定性。 4. 符合无铅和RoHS（限制有害物质指令）标准，采用无卤素封装，符合环保要求。 5. 完全按照JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准为工业应用进行了全面验证。 关键性能参数： - 最大漏源电压VDS：80伏特 - 最大导通电阻RDS(on)：1.8毫欧姆 - 连续漏电流ID：253安培 - 总栅极电荷Qoss：120纳库仑 - 总栅极电荷Qg：101纳库仑 - 封装类型/订购代码：PG-HSOG-8-1 - 标记信息：018N08N5 文档还包括了最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图以及封装轮廓等详细信息，以供设计者和工程师评估和选择这款器件时参考。此外，还提供了修订历史和英飞凌的商标信息。 IPTG018N08NM5 MOSFET因其低RDS(on)和优秀的FOM，特别适合在电源转换、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能和快速开关的应用中。其高耐压能力（80V）确保了在各种工作条件下器件的可靠性。同时，其无铅和无卤素的设计符合现代电子产品对环保的严格要求，适合在各种工业环境中使用。