英飞凌INFINEON IPTG011N08NM5 80V N沟道功率晶体管规格书

IPTG011N08NM5是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），它专为工业应用设计，特别适用于高频开关和同步接收器。这款80伏特的OptiMOST 5功率晶体管具有以下关键特性： 1. **结构与特性**: - **N沟道，正常级**: 该器件属于N型半导体，适合于正向偏置的开关电路。 - **极低的漏极电阻（RDS(on)）**: 仅为1.1毫欧姆，表明在高电流下有出色的导通性能。 - **优良的栅极电荷乘以漏极电阻（FOM）**: 提供高效能量转换，对于开关速度和效率至关重要。 - **100% 欧姆级雪崩测试**: 表明其在过电压条件下也能保持稳定，增加了器件的安全性。 - **环保材料**: 符合RoHS标准，无铅封装，并且按照IEC 61249-2-21标准为无卤素，考虑了环保和人体健康。 2. **性能参数**: - **最大电压（VDS）**: 80伏特，确保了器件在工作过程中的电气安全范围。 - **最大漏极电流（ID）**: 可达408安培，满足大电流应用需求。 - **存储电荷（Qoss）**: 207纳库仑，表示在快速关断时的栅极存储能量。 - **栅极充电（QG）**: 178纳库仑，衡量栅极控制能力的重要指标。 3. **认证与验证**: - 产品经过JEDEC工业应用全面认证，保证了在严苛环境下的可靠性和性能一致性。 4. **文档结构**: - 规格书中包含描述、最大评级、热性能、电气特性图表、封装外形图、修订历史和商标信息等内容，提供详尽的技术支持。 5. **订购与标识**: - 型号IPTG011N08NM5，包装类型为PG-HSOG-8-1，标记信息可能包括生产批次或序列号。 IPTG011N08NM5是一款针对工业应用设计的高性能MOSFET，具有低阻抗、高耐压和优异的栅极控制特性，适用于高频开关和同步信号处理，同时考虑了环保和可靠性。规格书提供了全面的性能参数和电气特性，便于用户评估和选择这款器件用于特定的电子系统设计。