英飞凌IPTG014N10NM5 MOSFET中文规格书：低阻高性能

"IPTG014N10NM5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 这份文档详细介绍了英飞凌（INFINEON）的IPTG014N10NM5 OptiMOS™ 5功率晶体管的规格和技术特性，适用于100V工作电压，特别强调了其在高频率切换和同步整流中的应用。该芯片是一款N沟道、正常电平的MOSFET，具备以下关键特点： 1. 极低的导通电阻（RDS(on)）：最大值仅为1.4毫欧，这有助于在工作时降低功耗，提高效率。 2. 出色的门极电荷乘以导通电阻的乘积（FOM）：这个参数是评估MOSFET开关性能的重要指标，表明IPTG014N10NM5具有优秀的开关速度和能量损耗平衡。 3. 通过100%雪崩测试，确保了芯片的耐冲击和稳定性。 4. 符合RoHS标准的无铅镀层，符合环保要求，且不含卤素，符合IEC61249-2-21标准。 5. 已根据JEDEC标准进行全面的工业应用资格验证，确保了其在各种环境条件下的可靠性。 技术参数方面，文档提供了以下关键数据： - 最大漏源电压（VDS）：100V - 最大导通电阻（RDS(on),max）：1.4 mΩ - 连续漏电流（ID）：366A - 总栅极电荷（Qoss）：214 nC - 总栅极电荷（QG）：169 nC 此外，手册还包括了封装信息（PG-HSOG-8-1）、芯片标记（014N10N5）以及相关的链接资源。 内容结构上，文档包含了描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图、封装轮廓、修订历史和商标信息等部分，为设计者提供了全面了解和应用这款芯片所需的所有技术细节。这些信息对于电子工程师在电路设计、功率管理以及系统优化等方面具有重要参考价值。