英飞凌IPTG025N08NM5 MOSFET芯片中文规格详细解读

"IPTG025N08NM5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPTG025N08NM5 MOSFET芯片的中文规格书，详细介绍了该器件的主要特性和技术参数。IPTG025N08NM5是一款N沟道、正常电平的MOSFET，特别适用于高频开关和同步整流应用。 该芯片的核心特性包括： 1. 极低的导通电阻（RDS(on)）：最大值仅为2.5毫欧，这有助于在高电流应用中实现极低的功率损耗。 2. 出色的门极电荷乘以RDS(on)的乘积（FOM），这是衡量MOSFET开关性能的关键指标，表明了其高效能。 3. 经过100%雪崩测试，确保了芯片在过载条件下的稳定性。 4. 符合无铅（Pb-free）和欧盟RoHS指令，采用无卤素封装，符合环保标准。 5. 全面按照JEDEC标准对工业应用进行了资格认证，确保了产品的可靠性和稳定性。 主要技术参数如下： - 最大漏源电压（VDS）：80伏 - 最大导通电阻（RDS(on)）：2.5毫欧 - 额定电流（ID）：184安培 - 总栅极电荷（Qoss）：83纳库仑 - 总栅极电荷（QG）：70纳库仑 封装信息： - 器件型号：IPTG025N08NM5 - 封装类型：PG-HSOG-8-1 - 标识代码：025N08N5 规格书中还包含了芯片的详细电气特性、热特性、电气特性图表以及封装轮廓图，便于设计工程师在实际应用中选择和使用。此外，还有修订历史记录和英飞凌的相关商标信息，确保用户获取到的是最新的技术数据。 IPTG025N08NM5是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电源转换系统。其出色的开关性能和环境友好型封装设计，使其成为工业级应用的理想选择。在设计电路时，应根据规格书中的参数和特性来确定该芯片是否符合项目需求。