线性代数同济四版课后答案解析：半导体器件基础与练习题

本资源提供的是《线性代数》同济大学第四版课后习题的答案解析。内容涉及半导体器件的基础理论，包括N型和P型半导体的性质判断、PN结的工作状态、晶体管的放大原理、场效应管的控制方式以及不同类型的MOS管特性等。以下是部分内容的详细解释： 1. 半导体基础知识： - 在N型半导体中掺入三价元素可以形成P型半导体，这是因为三价元素提供了空穴，改变了半导体的载流子类型，判断结果正确。 - N型半导体的多子是自由电子，但整体不带电，因为电子数量与空穴数量相等，所以第二个说法错误。 - PN结在无光照和外加电压时，由于扩散电流和漂移电流相抵消，结电流确实为零，第三个说法正确。 2. 电子器件题目： - PN结加上正向电压时，空间电荷区会因多子的扩散而变窄，选A。 - 二极管的电流方程考虑了内部电容，当端电压为U时，电流I由 Shockley 方程给出，所以选C。 - 稳压管在反向击穿区工作，能保持电压稳定，选C。 - 晶体管放大区工作时，发射结正偏，集电结反偏，以实现电流放大，选B。 - 结型管和增强型MOS管在UGS=0V时能进入恒流区，因为它们可以通过改变栅极电压控制漏极电流，选A和B。 3. 具体电路分析： - 图T1.3中的电路输出电压计算，涉及到二极管的导通和截止状态，计算得出各个电压值。 - 稳压管电路中，UO1得到稳压值，UO2的电压取决于稳压管的工作状态，计算结果为6V和5V。 - 晶体管过损耗区的绘制，根据最大耗散功率计算不同电压下的电流，连线形成临界线，确定过损耗区域。 4. 最后一个电路图T1.6展示了更复杂的电路设计，可能涉及电源管理或滤波等方面，但具体分析需结合电路图和相关理论进行。 这份资料为学习者提供了线性代数之外的半导体器件基础和相关电路分析的解答，有助于加深对这些概念的理解和应用。