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半导体器件习题答案
(仅供参考)
片的电阻率较大?说明理由。
A:
两片晶片的掺杂浓度相同,而电子的迁移率大于空穴的迁移率,因此 p 型半导体即晶片 2
的电阻率较大。
Q: (e) 在室温下硅样品中测得电子的迁移率 cm2/V.s。求电子的扩散系数。
A:
Q: (f) 低浓度注入的代数陈述是什么?
A:
Q: (g) 在硅样品中使用光照来产生过剩载流子。这些过剩载流子将会通过 R-G 中心复合形
式被复合。
说明:硅是间接半导体,在间接半导体中,R-G 中心复合机制是主要的复合过程,与 R-G
中心复合相比,直接复合是完全可以忽略的。
Q: (h) 在处理之前,硅样品中含有 ND=10^14/cm3 施主和 NT=10^11/cm3 R-G 中心。处理之
后,样品含有 ND=10^17/cm3 施主和 NT=10^10/cm3 R-G 中心在处理的过程中少子的寿命
是增加了还是减少了?说明理由。
A: 少子寿命增加了。因为
而 NT 在处理之后减小了,因此少子寿命增加了。
3.18 假设地球受到神秘光线的影响,所有的少子立刻消失,而多子未受影响。最初在平衡
状态下的房间没有受到神秘光线的影响,书桌上放有一块均匀掺杂的硅片,在时间 t=0
时受到这束神秘光线的影响。硅片的掺杂 NA=10^16/cm3,τn=10^-6s,温度 T=300K。
Q: (a) 在 t=0+时Δn 是什么?
A:
说明:受到神秘光线的影响后,所有的少子立刻消失,因此 n=0。
Q: (b) 在 t=0+时是产生占优势还是复合占优势?说明原因。
A: 在 t=0+时是产生占优势。
由于在 t=0+时少子减少了,故处于载流子欠缺状态,因此 R-G 中心产生占优势。
Q: (c) 在 t=0+时硅片内存在低浓度注入的条件吗?说明原因。
A: 存在低浓度注入条件。
由(a)知,
而多子未受影响,因此满足低浓度注入条件。
Q: (d) 从适当的微分方程出发,求 t>0 时的
A: 少子的扩散方程为:
型半导体
型半导体
p
Nq
n
Nq
Ap
Dn
,
1
,
1
scm
sVcm
e
eV
q
kT
D
pp
/67.33
/1300
0259.0
2
2
型半导体
型半导体
ppppn
nnnnp
,,
,,
00
00
34
16
210
2
00
/10
10
)10(
cm
N
n
nnnn
A
i
316
0
34
0
/10/10|||| cmNpcmnnn
A
L
n
pp
N
p
G
n
x
n
D
t
n
2
2