VLSI测试：存储器功能检测与算法

"这篇资料涉及的是存储器功能测试算法，主要讨论了两种特定的测试算法——漫游0/1过程和GALPAT算法，以及一种称为算法型测试序列（ATS）。这些测试方法用于检测存储器中的多种故障，如SAF（Single Address Fault）、变迁故障、译码电路故障和状态耦合故障。同时，提到了VLSI测试方法学和可测性设计，这是集成电路设计、制造、测试和应用领域的重要内容。" 在存储器测试中，漫游0/1过程是一种能检测SAF、变迁故障和部分状态耦合故障的方法。它的基本思想是对每个存储单元的0和1状态都进行读取，确保每个单元经历了1到0和0到1的状态变化。而GALPAT算法则强调每次只有一个单元为1，通过生成特定的测试序列，如GALDIA算法，使得行、列或对角线上的所有单元都被设置并检查，简化了测试过程。 算法型测试序列(ATS)是一种针对RAM的高效测试方法，它将存储阵列划分为三个不相邻的分块，并按照特定步骤进行写入和读取操作，以此来检测存储单元、译码电路、MDR（Memory Data Register）和MAR（Memory Address Register）的故障。ATS的步骤包括写入、读取和比较，通过对不同分块的操作来确定是否存在故障。例如，ATS会先写入0或1，然后读取预期值，根据读取结果判断故障。 VLSI测试方法学和可测性设计是集成电路领域的一个关键部分，涵盖了电路测试、分析的基础理论，以及数字电路的测试生成、专用可测性设计、扫描和边界扫描、IDDQ测试、随机和伪随机测试等多种技术。这些内容不仅适用于集成电路设计者，也是电子工程学生和研究人员的必备知识，它们帮助确保集成电路在设计、制造和使用过程中的质量和可靠性。 通过学习这些测试方法和设计策略，专业人士能够更好地理解和应对集成电路中的复杂问题，提升产品的质量和测试效率。而高校学生和研究生则可以通过这些知识，深入理解电路设计的各个层面，为未来的电路设计和分析工作奠定坚实基础。