DMN3033LSN-7 MOSFET:30V 6.5A SOT23封装详解
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更新于2024-08-03
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本文档详细解析了DMN3033LSN-7-VB型号的SOT23封装MOSFET,它是一款采用沟道结构的30V耐压N沟道MOSFET,由VBSEMI公司生产。这款器件符合RoHS指令2002/95/EC标准,具有环保特性,符合IEC 61249-2-21的无卤化物定义,并采用了Trench FET技术,旨在提供高效能和可靠性。
其主要特性包括:
1. **耐压与导通特性**:
- VDS(Drain-Source Voltage)最大值为30V,允许在10V时RDS(ON)为30mΩ,而在4.5V下为33mΩ。
- VGS(Gate-Source Voltage)范围为±20V,这决定了它的开关速度和控制性能。
2. **电流容量**:
- 在常温下(TA=25°C),连续 Drain Current (ID) 限制为6.5A。
- 当温度升至70°C时,ID下降到6.0A。
- Pulsed Drain Current (IDM)极限为25A,适合于脉冲操作。
- Source-Drain Diode Current (IS)在25°C时典型值为1.4A,随温度升高而降低。
3. **功率处理能力**:
- 最大功率耗散(PD)在25°C下为1.7W,在70°C下为1.1W。
- 为了防止过热,存储和运行温度范围为-55°C至150°C,峰值焊接温度推荐为260°C。
4. **封装与尺寸**:
- 使用SOT23封装,这是一种小型表面安装技术,适用于空间受限的应用。
5. **测试与可靠性**:
- 产品通过了100% Rg测试,确保了高可靠性。
- 适用于直流-直流转换器等应用场合。
6. **安全指标**:
- 工作结和储存温度限制以及功耗热阻值对温度有明确的规定,确保在不同工作条件下保持稳定性能。
DMN3033LSN-7-VB是一款高性能、低损耗、紧凑型的MOSFET,适用于需要高效率和小型化的电路设计,尤其适用于那些对电源管理、功率转换等应用有着严格要求的电子设备中。在选择和使用这款器件时,务必注意其额定参数以及温度条件下的工作限制。
2024-04-18 上传
2024-04-18 上传
2024-03-08 上传
2023-06-11 上传
2023-11-06 上传
2023-05-12 上传
2023-08-10 上传
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2023-04-03 上传
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