NTD5865NL-1G-VB MOSFET：60V 50A TrenchFET特性解析与规格

NTD5865NL-1G-VB是一款高性能的N沟道沟槽场效应晶体管（Trench FET），由VB半导体公司生产，特别适用于高电压、大电流的应用场景。该器件具有以下关键特性： 1. **高温耐受**：该MOSFET的结温高达175°C，确保在极端条件下仍能稳定运行。 2. **电压与电流规格**： - **RDS(ON)**：在VGS=10V时，低阻态电阻为10mΩ，而在VGS=4.5V时略高，为12mΩ。 - **ID**：连续导通电流在室温下，最大值为60A（在TJ=175°C时为46A）。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**：允许脉冲工作模式下的最大电流为110A。 - **Avalanche Current (IAS)**：单个雪崩能量处理能力为125mJ，适合短时间大电流冲击。 3. **功率参数**： - **Max Power Dissipation (PD)**：在25°C下，最大功耗为136W。 - **Thermal Resistance**：提供了junction-to-ambient（J-A）和junction-to-case（J-C）两个方面的热阻典型值和最大值。 4. **封装**：NTD5865NL-1G采用TO-251封装，适合表面安装在1"x1"FR4板上。 5. **温度范围**：工作温度范围宽广，从-55°C到175°C，存储温度更低，保证了器件在各种环境条件下的可靠性能。 6. **限制条件**： - **包装限制**：某些参数可能因封装而受限。 - **安装时间**：表面安装需确保不超过10秒。 该产品适合于需要高电压驱动（60V）、大电流处理（50A）且对散热有较高要求的电子设备，例如开关电源、电机驱动等应用。同时，由于其优良的高温性能和较小的RDS(ON)，它在工业自动化和电源管理等领域也有广泛的应用前景。查阅NTD5865NL-1G-VB的数据表（如提供的datasheet），可以获取更多详细的技术参数和注意事项。如有疑问，可联系VB半导体公司的客户服务热线400-655-8788获取支持。