ZVN4424GTA-VB: SOT223封装高性能N沟道MOS管特性与规格

ZVN4424GTA-VB是一种高性能的N沟道SOT223封装MOS管，它专为表面安装设计，提供方便的带卷和磁带包装选项。这款MOSFET具有多项关键特性，如快速开关能力、动态dv/dt等级、重复性雪崩电流限制以及易于并联操作，对于驱动要求相对简单，适合于高效率电路设计。 该MOS管的特点包括： 1. **封装类型**：采用SOT-223封装，紧凑型设计，占用空间小，便于集成到各种尺寸的PCB上，如1平方英寸的FR-4或G-10材料的PCB，与外壳之间的距离为1.6毫米。 2. **电压和电流规格**： - **VDS（最大漏源电压）**：在标准条件下，最高可达250伏特。 - **VGS（最大栅源电压）**：允许的范围为±20伏特，饱和栅源电压（VGSat）在10伏时，连续导通电流（ID）在室温下为0.79安培，随着温度升高会有线性衰减。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**：脉冲条件下的最大漏极电流为6.3安培，确保了短时间内的过载能力。 - **线性降级因子**：随温度上升，功率处理能力会有所降低，静态降级因子为每摄氏度0.025瓦，而PCB安装情况下的降级因子为0.017。 3. **雪崩特性**：具有单脉冲雪崩能量限制（EAS）和重复性雪崩电流（IAR），分别达到50毫焦耳和0.79安培，有助于保护器件在极端条件下不致损坏。 4. **电荷存储**：在典型参数下，最大栅极电荷（Qg）为8.2纳库仑，栅极漏极电荷耦合（Qgd）为4.5纳库仑，以及在栅源电压为10伏时的最小漏极到栅极电荷耦合（Qgs）为1.8纳库仑。 5. **应用注意事项**： - **重复性评级**：脉冲宽度受限于最大结温（见图11），这影响了器件在高频脉冲条件下的可靠工作。 - **安全操作区（SOA）**：当VDD等于50伏特，TJ初始温度为25摄氏度，L=128微亨，Rg=25欧姆，以及ISD（最大集电极漏电流）小于2.7安培，dI/dt（电流变化率）不超过65安培每微秒时，这些参数有效。 ZVN4424GTA-VB是一款适合在对速度、功率和小型化有较高要求的应用中使用的N沟道MOSFET，设计者需要仔细考虑其工作条件和安全限制以实现最佳性能和设备保护。