"HBM需求激增，国产供应链开创新机遇，市场规模持续增长"。

HBM需求井喷，国产供应链新机遇 近年来，HBM（High Bandwidth Memory）需求呈现出井喷式增长态势，为国产供应链带来了新的机遇。与传统的DDR相比，HBM基于TSV（Through-Silicon Via）工艺封装于处理器同一中介层，在带宽、面积、功耗等方面具备更大优势，有效缓解了数据中心能耗压力及带宽瓶颈。随着训练、推理环节存储需求持续增长，以及消费端及边缘侧算力的增长，HBM市场空间被进一步打开。根据报告显示，2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计到2026年将达到127.4亿美元，年复合增长率（CAGR）达37%。而HBM持续迭代升级，2023年主流HBM预计从HBM2E升级为HBM3甚至HBM3E，HBM3的比重预计将在2024年提升至60%左右。 当前，HBM市场仍然由SK海力士、三星和美光等三大家主导，其中在2022年全年，SK海力士占据50%的市场份额，三星占据40%，美光占据10%。作为HBM的核心工艺，TSV不仅推动了电镀、测试和键合等需求的增长，而且在HBM 3D封装中，TSV的成本占比接近30%，成为HBM成本结构中占比最高的部分。TSV的通孔填充在保证性能方面起着至关重要的作用，目前主流的填充材料是铜。据TECHCET预测，TSV的成本结构中通孔填充的占比将达到25%，并带动了电镀市场规模的增长。 总的来看，HBM需求的迅速增长为国产供应链带来了新的机遇和挑战。高速运行的HBM不仅促进了数据中心的性能提升，而且为芯片制造企业及相关供应链带来了更大的市场空间，推动了技术和产业的不断创新。然而，HBM的高成本以及核心工艺TSV的挑战也需要全产业链共同努力，提高工艺水平，降低成本，以满足HBM市场的持续增长需求。在未来，随着HBM3的升级和不断推陈出新的产品，国产供应链有望在全球市场中扮演更加重要的角色，实现更大的发展和壮大。