DCT架构零中频发射机调校：解决I/Q Imbalance与Carrier Leakage

"本文主要探讨了WCDMA零中频发射机(TX)的调校指南，重点关注了DCT架构的优缺点以及其中的关键问题，包括I/Q不平衡、载波泄漏和直流偏移。文中通过深入解析这些问题的原理，提出了相应的解决策略。" 在无线通信领域，WCDMA技术广泛应用于3G网络，而零中频发射机（Zero-Intermediate-Frequency Transmitter，简称ZIF或DCT）因其低成本、低复杂度和高集成度在智能手机等手持设备中得到广泛应用。然而，这种架构也带来了一些特有的挑战，如I/Q不平衡、载波泄漏和直流偏移，这些都是影响发射机性能的关键因素。 I/Q不平衡是DCT架构中常见的问题，主要发生在数字模拟转换器（DAC）到混频器（Mixer）的路径以及相位移位器中。由于实际布局难以达到理想状态，导致I/Q信号的差分特性受到影响，进而引发误差矢量幅度（EVM）增大和图像问题，从而降低信号质量。通过采用差分型的本地振荡器（LO）和混频器，并实施校正技术，可以有效地改善I/Q不平衡。 载波泄漏是由于LO与混频器之间的隔离度不足，导致LO信号直接泄漏到射频发射路径上，形成在信号附近的频谱污染，称为Image。此外，混频器线性度差也会产生直流偏移，进一步影响信号质量。 直流偏移（DC Offset）是指在LO泄漏至射频发射路径后，产生的直流成分直接位于主频上，导致载波泄漏，直接影响信号质量。尤其在低信号振幅情况下，载波泄漏的幅度可能远大于信号本身，显著恶化EVM。 图示了增益设置与输出功率的关系，表明当输出功率低于-30dBm时，载波泄漏的幅度已超过信号，这意味着最小输出功率受到严格限制，以防止载波泄漏对信号质量的破坏。 总结起来，调校WCDMA零中频发射机需要针对I/Q不平衡、载波泄漏和直流偏移等问题采取有效措施，确保发射机性能稳定，满足通信标准要求。这通常涉及到电路设计优化、隔离度提升、线性度改进以及校正算法的应用。