高密度封装新时代：2.5D/3D封装技术引领变革

"2.5D/3D封装技术是集成电路封装领域的一种创新，旨在打破IC发展的限制，引领产业向高密度封装时代过渡。这种技术通过更紧凑的设计和制程，实现更高的集成度、更小的尺寸、更好的性能和更低的能耗。报告中提到了几种关键的先进封装技术，包括倒装、重新布线（RDL）、晶圆级封装（如FI-WLP和FO-WLP）以及硅通孔（TSV），这些技术对于2.5D和3D封装至关重要。TSV尤其在2.5D/3D封装中起到连接不同芯片层的关键作用，允许垂直堆叠和高速数据传输，进一步提升系统的性能和能效。" 在集成电路封装领域，2.5D和3D封装技术已经成为推动行业变革的重要力量。传统的封装方式已经无法满足日益增长的性能需求和空间限制。2.5D封装通常涉及硅 interposer，这是一种中介层，提供了芯片间的连接，允许在不增加物理尺寸的情况下增加更多的功能。3D封装则更进一步，通过直接堆叠芯片，减少了信号延迟，提高了计算能力，特别是在高性能计算、数据中心和移动设备等领域。 倒装技术（Flip Chip）是一种将芯片上的I/O点直接与基板连接的方法，它通过在芯片底部沉积锡铅球并进行对准焊接，以实现更短的信号路径和更快的传输速度。重新布线（RDL）则允许改变芯片的I/O位置，适应不同的封装需求，提高了设计灵活性。 晶圆级封装（WLP）包括FI-WLP（Fan-In WLP）和FO-WLP（Fan-Out WLP）。FI-WLP适用于低I/O数量和小尺寸的芯片，而FO-WLP的独特之处在于，它可以将凸块扩展到芯片之外，从而扩大封装后的IC面积，提供更大的布线空间。TSV（Through Silicon Via）技术是2.5D和3D封装的核心，通过在硅片中钻孔并填充导电材料，实现芯片间的垂直互连，极大地提升了信号传输效率和系统整体性能。 随着技术的不断进步，封装的I/O间距将进一步减小，达到50-40μm，而重布层线宽间距将可能降至2/2μm，这标志着高密度封装时代的来临。这样的进步不仅提高了封装的电气性能和散热性能，也为未来的半导体设计和应用开辟了新的可能性。无论是为了提高计算速度、节省能源还是缩小设备体积，2.5D和3D封装都将在推动集成电路产业的发展中发挥重要作用。