12N10-VB：TrenchFET N沟道100V MOSFET技术规格

"12N10-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET，具有低热阻、175°C结温、TrenchFET技术及100%栅极电阻测试的特点，适用于隔离式DC/DC转换器等应用。其主要参数包括100V的漏源电压(VDS)、0.017Ω的在VGS=10V时的导通电阻(rDS(on))和30A的连续漏极电流(ID)。此外，该器件还符合RoHS标准。" 12N10-VB MOSFET是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，采用先进的TrenchFET技术，这种技术使得MOSFET在小型封装中能提供低电阻和高效率。它的最大漏源电压V(BR)DSS为100V，确保了在高压电路中的稳定工作。同时，该器件能在高达175°C的结温下运行，这使其在高温环境下仍能保持良好的性能。 在电气特性方面，12N10-VB的导通电阻rDS(on)仅为0.017Ω，当栅极电压VGS为10V时，这意味着在导通状态下，流过该MOSFET的电流所产生的压降很小，从而降低了功耗和热生成。其连续漏极电流ID额定值为30A，适合处理较大电流的负载。此外，它能承受脉冲漏极电流IDM高达75A，短暂的峰值电流不会对其造成损害。 对于持续源漏二极管电流IS，12N10-VB在25°C时的额定值为56A，而单脉冲雪崩电流IAS为20A，这意味着在特定条件下，MOSFET能够承受一定程度的雪崩击穿，增加了其在恶劣条件下的安全性。单脉冲雪崩能量EAS的限制为20毫焦，确保了在雪崩事件中设备的安全运行。 该MOSFET的最大功率耗散(PD)在25°C时为60W，在70°C时降低至40W，这表明随着温度升高，散热能力会有所下降。操作和存储温度范围从-55°C到+150°C，覆盖了广泛的环境条件。最后，12N10-VB符合RoHS指令，不含有害物质，符合环保要求。 12N10-VB是一款适用于高压、大电流应用的高效N沟道MOSFET，特别适合用在隔离式DC/DC转换器等电源管理领域，其优异的热性能和电气特性确保了在各种工况下的稳定可靠工作。