13P03SC-VB: 30V P-Channel MOSFET with High Current and Low RDS(o...

13P03SC-VB是一款由VBSEM制造的SOP8封装P-Channel场效应MOS管，它在现代电子设计中广泛应用，尤其是在需要高电流密度和低导通电阻的应用中。这款MOSFET的特点包括： 1. **封装形式**：采用SOP8封装，这是一种紧凑型封装，适合于表面安装技术(SMT)，便于集成到小型电路板上，比如在笔记本电脑和台式电脑的电源管理、负载开关等应用中。 2. **技术特性**： - **电压等级**：该器件的源极-漏极电压（VDS）最高可达-30V，而栅极-源极电压（VGS）允许范围是±20V。 - **电流能力**：连续 Drain Current (ID) 在室温（TJ=25°C）下可以达到-11.6A，随着温度升高，电流会逐渐减小。对于脉冲电流，最大值为-40A。 - **导通电阻**：在典型条件下（VGS = 10V），RDS(ON) 仅为10毫欧姆（mΩ），显示出出色的开关性能。 - **阈值电压**（Vth）：为-1.42V，表明它属于N沟道MOSFET的互补器件。 3. **可靠性与测试**： - **安全特性**：100%的Rg和UI测试，确保了器件在极端条件下的稳定性和可靠性。 - **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准，符合环保要求。 4. **热管理**：在最大功率消耗情况下，该MOSFET在室温下能承受5.6W的功率，而在70°C时降低至3.6W，保证了在工作环境中的散热需求。存储和操作温度范围为-55°C至150°C。 5. **安全限制**：所有参数的极限都指定了在25°C下的最大值，但在其他温度下可能有所不同，如在70°C时，某些电流和功率参数有所下降。 13P03SC-VB以其高效能、低损耗、高可靠性和小型化设计，成为电子工程师构建高性能电路的理想选择，尤其是在对功耗和散热管理有较高要求的应用中。在使用时，需确保遵循制造商提供的操作条件和限制，以保证设备的安全运行。