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IC芯片制造工艺流程from台湾.pdf

芯片工艺

半导体技术

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29页

详细介绍了IC的制造工艺流程，让你了解如何让一堆沙子变成一颗颗芯片，包含完整的半导体技术，有兴趣的可以了解一下

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半

導

體

製

程

技

術

ech

IC 製造基本流程

單晶塊材成長 ( Bulk Crystal Growth )

矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。圖為柴氏法成長單

晶示意圖。大致上是將矸鍋中，盛有高純度矽的熔融液

(維持在矽熔點攝氏1414度以上的高溫 )利用長條狀的晶

種與熔液接觸，再緩緩升起。單晶在固體晶種與熔液界

面成長。目前矽單晶成長技術已相當成熟，可長成一米

長，直徑超過二十公分的龐大晶體。其純度可達到每十

億矽原子中僅含一個雜質原子 (像一個外國人躋身於十

億人口的中國大陸一樣，比例非常低) ，而晶體中幾乎

全無缺陷。

單晶塊材成長 ( Bulk Crystal Growth )

晶圓 ( Wafer )

長成的圓柱形矽晶棒首先經切

割成晶片。晶片的厚度選取隨

其直徑增加而增加，一般約數

百微米。切割好的晶片再經機

械研磨及化學侵蝕，將表面磨

光平滑如鏡，即成為積體電路

基底的晶圓。

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