【免费】等离子体增强化学气相沉积-PECVD_气相沉积仿真 - CSDN文库

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薄膜沉积

用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的，该术语是指在基板上形成

沉积物。在半导体器件制造中，以下沉积技术（及其常用的缩写）为：

低压化学气相沉积-LPCVD

等离子体增强化学气相沉积-PECVD

低于大气压的化学气相沉积-SACVD

大气压化学气相沉积-APCVD

原子层沉积-ALD

物理气相沉积-PVD

超高真空化学气相沉积-UHV-CVD

类金刚石碳-DLC

商业电影-CF

外延沉积-Epi

化学气相沉积和薄膜形成

化学气相沉积法可以定义为其中通过气相吸附的前体的表面介导反应在基材上形成固

体薄膜的任何方法。CVD 工艺的反应性使其与物理工艺（如 PVD 中采用的蒸发和溅射）区

别开来。术语“表面介导的”是指固体膜是由在基材表面发生的异质反应形成的。有关其他

信息，请参见化学气相沉积物理。

图 1 显示了有助于理解 CVD 反应器中不同过程的示意图。化学气相沉积过程可分为多

个离散步骤：首先，必须将前体化学物质送入 CVD 反应器。一旦进入反应器，通常必须通

过流体传输和扩散的组合将前体分子传输到基底表面。一旦在表面上，前体分子必须保持

足够长的时间才能反应。反应发生后，产物薄膜原子必须保留在表面上，而副产物分子必

须从基材表面解吸，从而为更多的传入前体分子腾出空间。

典型的 CVD 工艺薄膜

CVD 工艺生产的典型薄膜包括：

外延硅

外延化合物半导体

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