BQ24610,bq24617
SLUS892C - 12月2009年修订的2015年4月 www.ti.com
电气特性(续)
5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)5 V≤V VCC ≤28 V,0℃<T Ĵ< 125℃,典型值是在T A = 25℃下,相对于GND(除非OTH erwise ñ oted)
参数 测试条件 最小典型最大单位
V ITERM = 20毫伏 V ITERM = 20毫伏 V ITERM = 20毫伏 - 4% 4%
终止电流精度 V ITERM = 5毫伏 V ITERM = 5毫伏 V ITERM = 5毫伏 - 25% 25%
V ITERM = 1.5毫伏 V ITERM = 1.5毫伏 V ITERM = 1.5毫伏 - 45% 45%
尖峰脉冲时间终止(包括
100 女士
边缘)
Ť QUAL Ť QUAL 终止资格时间 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 V BAT> V RECH 和我 CHG < 一世 术语 250 女士
一世 QUAL 一世 QUAL 终止当前的资格 检测放电电流一旦终止 2 嘛
输入电流调节
V ACSET V ACSET ACSET电压范围 2 V
ACP-ACN电流检测电压
V IREG_DPM V IREG_DPM V IREG_DPM = V ACP - V ACN V IREG_DPM = V ACP - V ACN V IREG_DPM = V ACP - V ACN V IREG_DPM = V ACP - V ACN V IREG_DPM = V ACP - V ACN V IREG_DPM = V ACP - V ACN 100毫伏
范围
的输入电流集因子(安培
ķ ACSET ķ ACSET 上ACSET每伏特的输入电流 [R SENSE = 10毫欧 [R SENSE = 10毫欧 [R SENSE = 10毫欧 五 A / V
销)
V IREG_DPM = 40毫伏 V IREG_DPM = 40毫伏 V IREG_DPM = 40毫伏 - 3% 3%
输入电流调节精度
一世 ACSET 一世 ACSET V IREG_DPM = 20毫伏 V IREG_DPM = 20毫伏 V IREG_DPM = 20毫伏 - 4% 4%
到ACSET销漏电流
V IREG_DPM = 5毫伏 V IREG_DPM = 5毫伏 V IREG_DPM = 5毫伏 - 25% 25%
一世 ISET1 一世 ISET1 到ACSET插脚V漏电流 ACSET = 2 V 到ACSET插脚V漏电流 ACSET = 2 V 到ACSET插脚V漏电流 ACSET = 2 V 100 nA的
输入欠压锁定比较器(UVLO)
V UVLO V UVLO AC欠压上升阈值测量值上VCC 3.65 3.85 4 V
V UVLO_HYS V UVLO_HYS AC欠压滞后,下跌 350 毫伏
VCC LOWV比较器
下降阈值,禁用充电 衡量VCC 4.1 V
上升阈值,恢复收费 4.35 4.5 V
睡眠状态比较(反向放保护)
V SLEEP _FALL V SLEEP _FALL SLEEP下降阈值 V VCC - V SRN 进入SLEEP V VCC - V SRN 进入SLEEP V VCC - V SRN 进入SLEEP V VCC - V SRN 进入SLEEP V VCC - V SRN 进入SLEEP 40 100 150毫伏
V SLEEP_HYS V SLEEP_HYS SLEEP滞后 500 毫伏
SLEEP上升延迟 VCC低于SRN,延迟关闭ACFET 1 微秒
SLEEP下降延迟 VCC上升上述SRN,延迟开启ACFET 三十 微秒
VCC低于SRN,延迟进入睡眠
睡眠关机上升尖峰脉冲 100 女士
模式
VCC以上SRN上升,延迟退出睡眠模式
SLEEP下降开机尖峰脉冲 三十 女士
模式
ACN / SRN比较器
V ACN-SRN_FALL V ACN-SRN_FALL ACN到SRN下降阈值 V ACN - V SRN 打开BATFET V ACN - V SRN 打开BATFET V ACN - V SRN 打开BATFET V ACN - V SRN 打开BATFET V ACN - V SRN 打开BATFET 100 200 310毫伏
V ACN-SRN_HYS V ACN-SRN_HYS ACN到SRN上升滞后 100 毫伏
ACN到SRN抗尖峰脉冲上升 V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE V ACN - V SRN> V ACN-SRN_RISE 2 女士
ACN到SRN抗尖峰脉冲下降 V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL V ACN - V SRN < V ACN-SRN_FALL 50 微秒
BAT LOWV比较器
预充电快充过渡
V LOWV V LOWV 测量的VFB引脚,上升 1.534 1.55 1.566 V
(LOWV阈值)
V LOWV_HYS V LOWV_HYS LOWV滞后 100 毫伏
LOWV尖峰脉冲上升 VFB下降低于V LOWV VFB下降低于V LOWV 25 女士
LOWV下降尖峰脉冲 VFB高于V上升 LOWV + V LOWV_HYS VFB高于V上升 LOWV + V LOWV_HYS VFB高于V上升 LOWV + V LOWV_HYS VFB高于V上升 LOWV + V LOWV_HYS 25 女士
再充电比较
再充电阈值(与-respect-
V RECHG V RECHG 测量的VFB引脚,下降 35 50 65毫伏
到V REG)到V REG)
充值尖峰脉冲上升 VFB下降低于V RECHG VFB下降低于V RECHG 10 女士
充值下降尖峰脉冲 VFB降低高于V RECHG VFB降低高于V RECHG 10 女士
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