IRFZ44NS-VB: 60V N沟道TO263封装MOSFET，高耐温与强大电流性能

IRFZ44NS-VB是一款高性能的N沟道TO263封装MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），它属于Trench FET系列的功率MOSFET。这款器件的主要特点包括： 1. **高温耐受性**：该MOSFET的结温最高可达175°C，这意味着它在高工作环境下的性能稳定。 2. **封装形式**：TO263封装提供了紧凑的尺寸和良好的散热能力，适合于表面安装在1英寸x1英寸的FR4电路板上，支持短时间(≤10秒)的高温操作。 3. **电气参数**： - **最大栅源电压** (VGS): ±20V，保证了宽广的工作电压范围。 - **连续导通电流 (TC=25°C)** (ID): 在室温下可达到75A，随着温度升高至100°C时降为50A。 - **脉冲导通电流 (IDM)**: 可承受高达200A的峰值电流。 - **源电流 (Diode Conduction)** (IS): 持续源电流为50A。 - **雪崩电流 (Avalanche Current)** (IAS): 能承受单次雪崩能量为125mJ，对应于1%的占空比。 - **最大功率损耗 (PD)**: 在25°C下，最大可持续功率为136W，且有温度限制。 4. **温度范围**：IRFZ44NS-VB适用于广泛的温度工作条件，从-55°C到175°C，包括操作和存储温度。 5. **热阻特性**： - **结温与环境热阻 (RthJA)**: 最大典型值为15°C/W，但在短时间内可能高达18°C/W。 - **结温与壳体热阻 (RthJC)**: 通常为0.85°C/W，最高可达1.1°C/W。 6. **产品概述**： - **最大漏源电压 (VDS)**: 在VGS=10V时为60V，而在VGS=4.5V时也有较高的阻断能力。 - **典型漏源导通电阻 (RDS(on))**: 低阻值，分别在两种偏置下表现优异。 7. **设计辅助**：对于设计人员，该数据表还提供了热线服务电话400-655-8788，以获取进一步的技术支持和解答疑问。 这款IRFZ44NS-VB MOSFET是电源管理、开关应用的理想选择，尤其是在需要高电流、高耐压和温度适应性强的工业级或消费电子设备中。它的性能参数和设计注意事项确保了设备在各种复杂电路中的可靠性和稳定性。