AO3402A-VB：SOT23封装高效能N-Channel MOSFET

"AO3402A-VB是一款由VB Semi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器等应用。该器件采用TrenchFET技术，具有低阻抗、环保无卤素的特点，并且经过了100%的Rg测试，符合RoHS指令。" AO3402A-VB是VB Semi公司推出的一款小型化N-Channel MOSFET，采用紧凑的SOT23封装，适合在空间有限的电路设计中使用。其主要特性包括： 1. TrenchFET技术：TrenchFET是一种沟槽结构的功率MOSFET，通过在硅片上刻蚀出沟槽来提高单元密度，从而降低导通电阻(RDS(ON))，提高效率。 2. 低导通电阻：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为30毫欧，这表明在正常工作条件下，该MOSFET的内部电阻非常低，能有效地减少功率损耗。 3. 阈值电压：Vth范围在1.2至2.2伏之间，这意味着在不同的栅极电压下，MOSFET能够可靠地开启和关闭。 4. 环保认证：AO3402A-VB符合IEC61249-2-21的无卤素标准，同时符合RoHS指令2002/95/EC，确保其在生产过程中不使用有害物质。 5. 额定参数： - 最大漏源电压(VDS)：30伏，保证了MOSFET在额定电压下的稳定工作。 - 连续漏极电流(ID)：在TJ=150°C时为6.5安培，TJ=70°C时为6.0安培，TJ=25°C时为5.3安培，不同温度下的电流能力有所不同。 - 脉冲漏极电流(IDM)：25安培，允许短时间内的高电流脉冲。 - 连续源漏二极管电流(IS)：在TJ=25°C时为1.4安培，TJ=70°C时为0.9安培，这些值反映了MOSFET作为二极管使用时的能力。 - 最大功耗(PD)：在不同温度下有不同的限制，如TJ=25°C时为1.7瓦，TJ=70°C时为1.1瓦。 6. 热性能：器件的热特性包括结壳热阻(RθJC)，这对于散热设计至关重要。没有给出具体数值，但通常这个值决定了器件在工作时如何有效地散发热量。 7. 操作与存储温度范围：-55到150摄氏度，保证了在广泛的工作环境中稳定工作。 8. 焊接推荐：峰值焊接温度为260摄氏度，这是为了确保在组装过程中安全地焊接器件。 AO3402A-VB是一款高性能、低功耗的N-Channel MOSFET，适用于需要高效、小体积解决方案的电源转换和控制电路。其优秀的电气特性和环保特性使其成为许多电子设计的理想选择。