NCE0159-VB N沟道100V TO220封装场效应晶体管：高耐温、大电流

NCE0159-VB是一款专为高压应用设计的N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用了先进的TrenchFET技术，具有出色的性能和可靠性。该器件的特点包括： 1. 封装形式：TO220封装，适合于对散热性能有一定要求的应用场景，TO220AB版本提供了一个紧凑且稳定的结构。 2. 电气特性： - 漏源电压 (VDS): NCE0159-VB的最大工作电压可达100V，确保了在高压电路中的安全操作。 - 栅源电压 (VGS): 提供±20V的宽广电压范围，支持灵活的控制信号处理。 - 连续电流 (ID): 在25°C下，可以稳定通过100A的直流电流；在125°C高温下，最大脉冲电流为75A。 - 雪崩电流 (Avalanche Current, IAS): 在特定条件（L=0.1mH）下，单脉冲雪崩能量为280mJ，保证了器件在过压事件中的耐受能力。 - 最大功率损耗 (PD): 在25°C条件下，TO-220AB封装的热耗散能力为250W，TO-263封装下，当环境温度较低时，允许更高的散热能力，最高可达3.75W。 3. 温度管理： - 结温限制：NCE0159-VB能承受高达175°C的最高结温，同时满足RoHS 2002/95/EC指令的要求，确保环保合规。 - 温度范围：设备的工作和储存温度范围为-55°C到175°C，允许在各种环境条件下稳定运行。 - 热阻：提供了结温到环境、结温到封装等关键热阻值，如TO-263封装的PCB安装条件下，热阻RthJA为40°C/W，而自由空气中的热阻RthJC为0.6°C/W。 4. 注意事项： - 脉冲测试：在设计时已考虑脉冲测试条件，脉冲宽度不超过300μs，占空比限制在2%以内。 - 保证与测试：某些极限参数（如雪崩电流和单脉冲能量）是基于设计保证的，并非通过生产测试得出，这意味着这些特性在制造过程中得到了充分优化。 NCE0159-VB是一款高性能、耐高温且符合环保要求的N沟道MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性的开关和驱动电路，特别是在电源管理和电机控制等领域有广泛应用。用户在实际使用时需注意温度、电流和电压限制，以确保设备的长期稳定性和安全性。