Everspin MRAM技术:无限次擦写,非挥发存储新选择
"Everspin MRAM产品介绍文档主要涵盖了Everspin公司的核心产品——磁性随机存取存储器(MRAM),这是一种非挥发性存储技术,由Everspin作为全球首家量产供应商引领行业发展。Everspin专注于开发和制造MRAM及传感器,其产品广泛应用于数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通信、消费电子、交通运输和航空电子等领域。该公司提供的MRAM产品具有快速读写、无限次擦写、长久的数据保留能力、多种容量选择以及兼容各种接口等特性,适用于取代传统的存储器类型。此外,Everspin的MRAM芯片还支持不同温度范围的运行,并符合RoHS规范,无电池和铅的使用,封装形式多样。其核心技术基于磁性隧道结(MTJ),利用自由层和固定层的磁化方向变化来实现数据存储。" Everspin MRAM产品的主要特点和优势如下: 1. **快速读写**:MRAM的读取/写入周期时间仅为35ns,远快于传统非挥发性存储器如闪存。 2. **无限次擦写**:与闪存相比,MRAM可以进行无限次的擦写操作,没有耐用性限制。 3. **长时间数据保留**:Everspin的MRAM具有超过20年的非挥发性特性,数据可以长期保存。 4. **大容量与接口多样性**:产品密度从512kb到16Mb不等,提供16位或8位并行接口以及40MHz高速串行SPI接口,满足不同应用场景需求。 5. **成本效益**:采用简单的1T-1MTJ位单元设计,降低了生产成本。 6. **低软错误率**:与其他内存相比,MRAM的软错误率显著降低,提高了系统的稳定性。 7. **多功能性**:MRAM能够替代多种类型的存储器,包括闪存、SRAM、EEPROM、nvRAM和BBSRAM。 8. **温度范围广泛**:提供商业级、工业级、扩展级和汽车级的不同温度范围选项,适应各种环境条件。 9. **环保设计**:符合RoHS规范,无电池、无铅,符合绿色电子产品的标准。 10. **紧凑封装**:采用TSOP、VGA、DFN等小型封装形式,方便集成到各类硬件系统中。 Everspin的MRAM技术基于其专利的磁性隧道结(MTJ)存储单元,这种技术使得数据存储不受电源影响,同时保持了高速读写性能。固定层保持稳定的磁化方向,而自由层的磁化方向可以通过电流改变,从而改变MTJ的电阻状态,实现数据的存储和读取。这种创新的存储机制确保了MRAM在工业应用中的可靠性和效率。
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