FDT458P-NL-VB：P沟道TrenchFET电源MOS管技术规格

"FDT458P-NL-VB是一种P沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用SOT223封装，适用于笔记本电脑等设备的负载开关和适配器开关应用。该器件符合RoHS指令，并且经过了100%的Rg和UIS测试，确保其可靠性和安全性。" 详细说明: FDT458P-NL-VB是一款由飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，采用先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽来提高MOSFET的性能和效率。SOT223封装设计使得这款器件适合表面安装，适用于紧凑的电路板布局。 该MOSFET的关键特性包括： 1. 无卤素：符合IEC61249-2-21标准，对环保友好。 2. TrenchFET技术：提供更低的导通电阻(RDS(on))，提高了能效。 3. 100% Rg测试：确保栅极电阻的稳定性，以保证良好的开关性能。 4. 100% UIS测试：验证了器件在高电压下的安全工作能力，增强了可靠性。 5. RoHS合规：符合欧盟的限制有害物质指令，符合绿色电子产品的标准。 应用领域： - 负载开关：用于控制电路中的电流流动，根据需要打开或关闭电源。 - 适配器开关：在笔记本电脑等设备的电源适配器中，用于调节电压和电流。 - 笔记本电脑：作为系统内部的电源管理组件，例如电池充电控制等。 关键参数： - 最大漏源电压(VDS)：-35V，表示MOSFET可以承受的最大电压差。 - 额定连续漏极电流(ID)：在不同温度下有不同的值，如在25°C时为-6.2A，在70°C时为-4.8A。 - 导通电阻(RDS(on))：在VGS=-10V时为0.040Ω，在VGS=-4.5V时为0.048Ω，低RDS(on)意味着较低的功耗和更高的效率。 - 输入电荷(Qg)：9.8nC，影响开关速度和动态功耗。 - 最大结温(TJ)：150°C，超过这个温度可能导致器件损坏。 热特性： - 热阻抗：给出了器件在不同条件下的散热性能，影响器件的工作稳定性和寿命。 绝对最大额定值和安全操作区域的参数提供了MOSFET在不同工作条件下的限制，防止因过压、过流等导致的失效。例如，脉冲漏极电流、连续源漏二极管电流、雪崩电流和单脉冲雪崩能量等都有明确的最大值。 FDT458P-NL-VB是一款高性能、可靠的P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理和开关控制，尤其在便携式电子设备中。其优秀的电气特性和环境友好性使其成为工程师在设计中考虑的理想选择。