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图 10.3 1K×4RAM 扩展成 1K×8RAM
【例 10-4】 试将容量为 1K×8 的集成电路 RAM 扩展成容量为 4K×8 的 RAM。
解:本题并未要求扩展位,即扩展后的 RAM 仍为 8 位输出,例 10-3 属于位扩展,而本
题则属于字扩展。
因 1K= ,所以 1K×8 的 RAM 的输入地址总线为 10 条,即 ,现在要扩展为 4K,
即 4× = ,这就要求地址输入线为 12 条,即 ,因此可用四片 1K×8 的 RAM,通
过两条高位地址线 、 去作为 2-4 译码器的输入端,用 2-4 译码器的输出 、
、 、 去分别控制四片 1K×8 RAM 的片选端 ,并将八条输
出位线对应相连、将 线也连在一起,就可以构成如图 10.4 所示的 4K×8 RAM。
图 10.4 1K×8RAM 扩展为 4K×8RAM
其工作工程如下:
将 12 位地址用十六进制数表示为(000)
16
~(FFF)
16
,当 =00 时,2-4 译码器的
输出低电位,使片(1)的 有效,此时片(1)工作,可对地址为(000)
16
~(3FF)
16
的 RAM 中
的八位数据进行读/写操作;当 =01 时,2-4 译码器的 使片(2)的 有效,此时片(2)
工作,可对地址为(400)
16
~(7FF)
16
的 RAM 中的数据进行读/写操作;当 =10 时,2-4
译码器的 使片(3)的 有效,此时片(3)工作,可对地址为(800)
16
~(BFF)
16
的 RAM 中的
数据进行读/写操作;当 =11 时,2-4 译码器的 使片(4)的 有效,此时片(4)工
作,可对地址为(C00)
16
~(FFF)
16
的 RAM 中的数据进行读/写操作。
A0
A1
A9
A9
A0
A1
…
D1 D2 D3D0
1K×4 片(2)
D1 D2 D7
D0
1K×8RAM(1)
…
WR/
CS
D6D5D4D3 D1 D2 D7
D0
1K×8RAM(2)
…
WR/
CS
D6D5D4D3 D1 D2 D7
D0
1K×8RAM(3)
…
WR/
CS
D6D5D4D3
D1 D2 D7
D0
1K×8RAM(4)
…
WR/ CS
D6D5D4D3
A0
A1
A8
A9
A9
A8
A0
A1
A9
A8
A0
A1
A9
A8
A0
A1
A0
A1
0Y
3Y
2Y
1Y
A10
A11
2-4译码器
WR/
D1
D7
D0
D6
……