本文档详细介绍了RRR040P03TL-VB型号的P沟道SOT23封装MOSFET,它属于TrenchFET系列的高性能功率MOSFET,特别适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用场景。该器件具有以下关键特性:
1. **电压参数**:这款MOSFET的最大耐压为30V(Drain-Source Voltage, VDS),并且在不同栅极源电压(Gate-Source Voltage, VGS)下,如-10V时,其典型RDS(on)值为47mΩ,当VGS为-6V时降为54mΩ,而在-4.5V时为56mΩ。它具有一个负的阈值电压(-1Vth(V)),表明它是P沟道型。
2. **电流能力**:在连续工作状态下,最大持续漏极电流(ID)为5.6A,但在70°C时会有所下降。此外,还提供了短脉冲下的最大脉冲漏极电流(IDM)限制。源极-漏极二极管电流(IS)也有所限制,例如在25°C时为-2.1A。
3. **功率处理**:MOSFET能承受一定的功率损耗,最高2.5W的连续功率 dissipation 在25°C条件下,而在70°C时功率降低。这些数据是在特定散热条件下给出的,例如在1秒的脉宽内,热耗散限制了器件的长期稳定运行。
4. **温度范围**:RRR040P03TL-VB设计用于-55°C至150°C的操作和存储温度范围,包括结温(Junction Temperature, TJ)和储存温度(Storage Temperature, Tstg)。
5. **封装与尺寸**:该器件采用紧凑的SOT-23封装,方便在小型电路板上表面安装,占用空间小,适合于空间受限的应用。
6. **测试保证**:100%的栅极电阻(Rg)测试确保了器件的性能一致性。
7. **注意事项**:所有性能参数基于25°C环境条件,并且在不同条件下可能有所不同。例如,当温度升高时,电流和功率容量会相应下降。
RRR040P03TL-VB是一款适用于低功耗和紧凑空间的P沟道MOSFET,通过其优化的设计和测试,为便携式电子设备提供了高效能和可靠的开关解决方案。在选择和使用该器件时,务必考虑其工作温度范围、电流限制以及散热需求,以确保设备的正常运行。