三星KM68257C：32Kx8位高速静态RAM技术规格

"SAMSUNG-KM68257C.pdf 是一份关于SAMSUNG公司生产的KM68257C/CL CMOS SRAM（静态随机存取存储器）的初步数据手册，修订版本为3.0，发布于1996年2月。这款SRAM是32Kx8位的高速存储器，适用于5V操作环境，并且在商业温度范围内工作。文档包含了该器件的规格、参数和历史修订记录。" 本文将详细解析KM68257C/CL CMOS SRAM的关键特性及参数： 1. **产品概述**： - KM68257C/CL是一款高性能的32Kx8位静态随机存取存储器，设计用于5V电源电压下运行，适合各种需要高速数据存储的应用。 - 它采用了CMOS（互补金属氧化物半导体）技术，这使得它在功耗和速度之间取得了良好的平衡。 2. **工作温度范围**： - 这款SRAM可在商业温度范围内工作，意味着它可以适应通常的室温环境，即0°C至70°C。 3. **修订历史**： - Rev.0.0：初步发布，数据手册的初始版本。 - Rev.1.0：更新为最终数据手册，删除了“初步”标识。 - Rev.2.0：更新交流参数，如tOE、tCW和tHZ。 - Rev.3.0：增加了28-TSOP1封装选项、L版本和数据保留特性。 4. **关键电气参数**： - **tOE**：输出延时时间，从地址改变到输出稳定的时间，之前规格为-8/10ns，更新后变为-7/9ns，表明速度有所提升。 - **tCW**：写周期时间，从地址有效到数据写入完成的时间，之前为-12/-ns，更新后为-11/-ns，同样显示了性能的提升。 - **tHZ**：高至低或低至高的输出转换时间，之前为8/10ns，更新后为6/7ns，这表示输出转换更快，提高了系统的响应速度。 - **tOHZ**：输出保持时间，从输出有效到输入改变允许的时间，之前未给出具体数值，更新后为-7/-ns，确保了数据在输出状态的稳定性。 - **tD**：数据保持时间，从停止时钟到读出数据仍保持有效的时间，此处未给出具体修订前后的变化。 5. **新特性**： - 28-TSOP1封装：这是一种更紧凑的封装形式，可能降低了器件的尺寸，同时提供了更好的散热和电气性能。 - L版本：可能指的是低功耗版本，适合对功耗有特殊要求的应用。 - 数据保留特性：这是衡量SRAM在断电后还能保持数据多久的一个关键指标，对于一些需要数据持久性的应用非常重要。 KM68257C/CL CMOS SRAM是一款在不断优化的高速内存解决方案，具有良好的速度性能、功耗管理和数据稳定性。其修订历史展示了SAMSUNG对产品持续改进的决心，以满足不断发展的市场需求。在选择这款SRAM时，应根据具体应用需求，如速度、功耗和封装类型等因素进行考虑。